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| 1 | 局域功函数图像及其在Cu(111)-Au/Pd表面的应用显示文摘用扫描隧道显微镜 (STM)对Cu(111) Au和Cu(111) Pd表面的局域功函数进行了研究 .通过测量隧道电流对针尖样品间距的响应 ,得到了与STM形貌图一一对应的表面局域功函数图像 .实验发现 ,Au Pd覆盖层和Cu衬底间的功函数有明显的不同 .Pd薄膜的功函数甚至超过了其体本征值 ,且功函数在台阶处变小 .用偶极子的形成解释了台阶处功函数的降低 .这一工作表明 ,用测量局域功函数的方法容易区分表面上不同的元素 ,并具有纳米尺度的空间分辨率 . | 贾金锋 董国材 王立莉 马旭村 薛其坤 Y.Hasegawa T.Sakurai | 2005 | 物理学报2005，54，4： | 3 |
| 2 | 查看详情显示文摘 | T.Nagao J.T.Sadowski M.Saito S.Yaginuma Y.Fujikawa T.Kogure T.Ohno Y.Hasegawa S.Hasegawa and T.Sakurai | | 0，，10： | 1 |
| 3 | 查看详情显示文摘 | H.W.Liu H.T.Yuan N.Fukui L.Zhang J.F.Jia Y.Iwasa M.W.Chen T.Hashizume T.Sakurai and Q.K.Xue | | 0，，： | 1 |
| 4 | 查看详情显示文摘 | T.Higashihara T.Sakurai A.Hirao | | 0，，： | 1 |
| 5 | MICS-Asia Ⅱ:The model intercomparison study for Asia Phase Ⅱ methodology and overview of findings显示文摘 | Carmichaela G.R T.Sakurai D.Streets | | 0，，15： | 1 |
| 6 | Atom probe study of the precipitation process in an Al-Cu-Mg-Ag alloys显示文摘 | Ka.Hono N.Sano S.S.Babu R.Okano T.Sakurai | | 0，，： | 1 |
| 7 | 内插器引入高磁导率材料提高片上降压转换器效率显示文摘在本文中,研究了具有铁氧体薄膜的内插器(interposer)上电源电路电感器,以通过向电感器引入高导磁率材料来提高电源电路的效率。在这项工作中,DC-DC降压转换器被用作电源电路。利用场电磁仿真讨论了电感对铁氧体薄膜位置的依赖性。仿真结果表明,铁氧体薄膜应位于电感器的上下两侧和金属之间。通过使用10m厚铁氧体薄膜的电感器,当空心电感器的降压转换器效率为60%时,降压转换器的效率提高了13%。 | H.FUKETA Y.SHINOZUKA K.ISHIDA M.TAKAMIYA T.SAKURAI T.FUJII H.SHIMIZU K.KOBAYASHI T.SATO | 2019 | 磁性元件与电源2019，，2： | 0 |
| 8 | Coulomb expansion of a van der Waals C_(60) solid film显示文摘Scanning tunneling microscopy study revealed a van der Waals C60, solid film with 13% room-temperature lattice expansion on the GaAs(001) 2×4 surface. The mechanism involves fundamental Coulomb interaction due to charge transfer from the GaAs substrate. Theoretical calculation determines the charge transfer to be 1.76 electrons per C60 molecule. Oriented at its (110) crystallo-graphic axis this film also distinguishes itself from those formed on all other semiconductor and metal substrates where only the low-energy (111) hexagonal packing of C60 molecules was developed. It is shown that this is due to the one-dimensional confinement effect of the anisotropic substrate, which may have the prospect of controlling crystal growth. | 薛其坤 厉建龙 孙牧 陆华 T.Hashizume Y.Hasegawa K.Ohno Y.Kawazoe T.Sakurai H.Kamiyama H.Shinohara | 2000 | Science China Mathematics2000，43，11： | 0 |
| 9 | Van Hove Singularities as a Result of Quantum Confinement:The Origin of Intriguing Physical Properties in Pb Thin Films显示文摘In situ angle-resolved photoemission spectroscopy(ARPES)and scanning tunneling spectroscopy(STS)have been used to study the electronic structure of Pb thin films grown on a Si(111)substrates.The experiments reveal that the electronic structure near the Fermi energy is dominated by a set of m-shaped subbands because of strong quantum confinement in the films,and the tops of the m-shaped subbands form an intriguing ring-like Van Hove singularity.Combined with theoretical calculations,we show that it is the Van Hove singularity that leads to an extremely high density of states near the Fermi energy and the recently reported strong oscillations(with a period of two monolayers)in various properties of Pb films. | Yu Jie Sun S.Souma Wen Juan Li T.Sato Xie Gang Zhu Guang Wang Xi Chen Xu Cun Ma Qi Kun Xue Jin Feng Jia T.Takahashi T.Sakurai | 2010 | Nano Research2010，3，11： | 0 |
| 10 | 固态vander WaalsC _(60)膜晶格的Coulomb膨胀显示文摘利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(0 0 1 ) 2× 4表面上的固态vanderWaalsC6 0 膜在室温下较之C6 0 晶体具有 1 3%的晶格膨胀 .这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C6 0 分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的 .理论计算表明 ,平均约有 1 76个电子转移到每个C6 0 分子上 .有趣的是 ,该固态C6 0 膜为 (1 1 0 )取向 ,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有 (1 1 1 )取向的六角密排C6 0 膜 .这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的 .通过选择不同的衬底 ,可以控制C6 0 | 薛其坤 厉建龙 孙牧 陆华 T.Hashizume Y.Ling Y.Hasegawa K.Ohno Z.Q.Li Y.Kawazoe T.Sakurai H.Kamiyama H.Shinohara | 2000 | 中国科学(A辑)2000，30，6： | 0 |
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