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9篇 您的检索式：作者名="T.FUJII"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Nutritional predictors of postoperative outcome in pancreatic cancer显示文摘	M.Kanda T.Fujii Y.Kodera S.Nagai S.Takeda A.Nakao	2010	Br J Surg2010，，2：	2
	2	Human mesenchymal stem cells successfully improve skin‐substitute wound healing显示文摘	H.Nakagawa S.Akita M.Fukui T.Fujii K.Akino	2005	British Journal of Dermatology2005，，1：	2
	3	Biliary cystic tumors with bile duct communication:a cystic variant of intraductal papillary neoplasm of the bile duct显示文摘	Y.Zen T.Fujii K.Itatsu K.Nakamnra		0，，09：	1
	4	FTV for 3-D Spatial Communication显示文摘	M.Tanimoto M.P.Tehrani T.Fujii		0，，4：	1
	5	Quality and yield improvement using method of blowing argon stirring显示文摘	K.Nakanishi T.Fujii J.Szekely		0，，02：	1
	6	Nutritional predictors of postoperative outcome in pancreatic cancer显示文摘	M.Kanda T.Fujii Y.Kodera S.Nagai S.Takeda A.Nakao	2010	Br J Surg2010，，2：	1
	7	Hysteretic currentvoltage characteristics and resistance switching at a rectifying Ti/PCMO interface显示文摘	A.Sawa T.Fujii M.Kawasaki Y.Tokura		0，，18：	1
	8	内插器引入高磁导率材料提高片上降压转换器效率显示文摘在本文中,研究了具有铁氧体薄膜的内插器(interposer)上电源电路电感器,以通过向电感器引入高导磁率材料来提高电源电路的效率。在这项工作中,DC-DC降压转换器被用作电源电路。利用场电磁仿真讨论了电感对铁氧体薄膜位置的依赖性。仿真结果表明,铁氧体薄膜应位于电感器的上下两侧和金属之间。通过使用10m厚铁氧体薄膜的电感器,当空心电感器的降压转换器效率为60%时,降压转换器的效率提高了13%。	H.FUKETA Y.SHINOZUKA K.ISHIDA M.TAKAMIYA T.SAKURAI T.FUJII H.SHIMIZU K.KOBAYASHI T.SATO	2019	磁性元件与电源2019，，2：	0
	9	Progress in Physics and Technology Developments for the Modification of JT-60显示文摘Recent progress in the physics and engineering design study for the modification programme of JT-60 is presented.In order to achieve a steady state high-β plasma operation,which is the dominant issue of this programme,physics design for the MHD control and the stability analysis is investigated.Engineering design and the R & D for the superconducting coils,irradiation shield are performed well towards the mission of programme.	H.Tamai M.Matsukawa G.Kurita N.Hayashi K.Urata Y.M.Miura K.Kizu K.Tsuchiya A.Morioka Y.Kudo S.Sakurai K.Masaki T.Suzuki M.Takechi Y.Kamada A.Sakasai S.Ishida K.Abe A.Ando T.Cho T.Fujii T.Fujita S.Goto K.Hananda A.Hatayama T.Hino H.Horiike N.Hosogane M.Ichimura Tsuji-Iio S.Itoh M.Katsurai M.Kikuchi A.Kohyama H.Kubo M.Kuriyama M.Matsuoka Y.Miura N.Miya T.Mizuuchi K.Nagasaki H.Ninomiya N.Nishino Y.Ogawa K.Okano T.Ozeki M.Saigusa M.Sakamoto M.Satoh M.Shimada R.Shimada M.Shimizu T.Takagi Y.Takase T.Tanabe K.Toi Y.Ueda Y.Uesugi K.Ushigusa Y.Yagi T.Yamamoto K.Yatsu K.Yoshikawa	2004	Plasma Science and Technology2004，6，1：	0

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