| 3 | 固态vander WaalsC _(60)膜晶格的Coulomb膨胀显示文摘利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(0 0 1 ) 2× 4表面上的固态vanderWaalsC6 0 膜在室温下较之C6 0 晶体具有 1 3%的晶格膨胀 .这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C6 0 分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的 .理论计算表明 ,平均约有 1 76个电子转移到每个C6 0 分子上 .有趣的是 ,该固态C6 0 膜为 (1 1 0 )取向 ,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有 (1 1 1 )取向的六角密排C6 0 膜 .这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的 .通过选择不同的衬底 ,可以控制C6 0 | 薛其坤 厉建龙 孙牧 陆华 T.Hashizume Y.Ling Y.Hasegawa K.Ohno Z.Q.Li Y.Kawazoe T.Sakurai H.Kamiyama H.Shinohara | 2000 | 中国科学(A辑)2000，30，6： | 0 |
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