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4篇 您的检索式:作者名="T.Hashizume"
    题名 作者 年代 出处 被引量
1查看详情显示文摘H.W.Liu H.T.Yuan N.Fukui L.Zhang J.F.Jia Y.Iwasa M.W.Chen T.Hashizume T.Sakurai and Q.K.Xue 0,,:1
2小缸径柴油机燃烧室新方案显示文摘小缸径柴油机通常采用2气门缸盖和喷油器非中心布置的形式,以扩展气道的流通面积。与缸径相当的采用4气门、喷油器中心布置的气缸盖相比,这种喷油器非中心布置会产生不对称的气体流动和燃油分布,从而导致糟糕的热损失和不太均匀的燃-空混合气。介绍通过改进活塞顶燃烧室的几何形状来实现更均匀的气体流动和燃-空混合气。新方案燃烧室与原有的活塞燃烧室相比,能使燃油消耗减少2.5%,同时还能使氮氧化物排放量减少10%左右。K.Nishida T.Ogawa T.Hashizume S.Ishiyama R.Hasegawa 闫红梅 余洪峰 2016国外内燃机2016,48,1:0
3Coulomb expansion of a van der Waals C_(60) solid film显示文摘Scanning tunneling microscopy study revealed a van der Waals C60, solid film with 13% room-temperature lattice expansion on the GaAs(001) 2×4 surface. The mechanism involves fundamental Coulomb interaction due to charge transfer from the GaAs substrate. Theoretical calculation determines the charge transfer to be 1.76 electrons per C60 molecule. Oriented at its (110) crystallo-graphic axis this film also distinguishes itself from those formed on all other semiconductor and metal substrates where only the low-energy (111) hexagonal packing of C60 molecules was developed. It is shown that this is due to the one-dimensional confinement effect of the anisotropic substrate, which may have the prospect of controlling crystal growth.薛其坤 厉建龙 孙牧 陆华 T.Hashizume Y.Hasegawa K.Ohno Y.Kawazoe T.Sakurai H.Kamiyama H.Shinohara 2000Science China Mathematics2000,43,11:0
4固态vander WaalsC _(60)膜晶格的Coulomb膨胀显示文摘利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(0 0 1 ) 2× 4表面上的固态vanderWaalsC6 0 膜在室温下较之C6 0 晶体具有 1 3%的晶格膨胀 .这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C6 0 分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的 .理论计算表明 ,平均约有 1 76个电子转移到每个C6 0 分子上 .有趣的是 ,该固态C6 0 膜为 (1 1 0 )取向 ,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有 (1 1 1 )取向的六角密排C6 0 膜 .这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的 .通过选择不同的衬底 ,可以控制C6 0薛其坤 厉建龙 孙牧 陆华 T.Hashizume Y.Ling Y.Hasegawa K.Ohno Z.Q.Li Y.Kawazoe T.Sakurai H.Kamiyama H.Shinohara 2000中国科学(A辑)2000,30,6:0
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