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37篇 您的检索式：作者名="Simin G"

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	题名	作者	年代	出处	被引量
1	AlGaN/GaN metal- oxide- semiconductor heterostructure field- effect transis- tors on SiC substrates显示文摘	Khan M A Hu X Simin G	2000	Appl Phys Lett2000，77，：	2
2	Induced strain mechanism of current collapse in AlGaN/GaN heterostructure fieldeffect transistors显示文摘	SIMIN G KOUDYMOV A TARAKJI A	2001	ApplPhysLett2001，79，16：	1
3	AIGaN/GaN metaloxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors on SiC substrates 显示文摘	KHAN M A HU X SIMIN G	2000	Appl Phys Lett2000，77，：	1
4	Si3N4/AIGaN/ GaN metal insulator semiconductor heterosturcture field effect transistors显示文摘	HU X KoUDYMOV A SIMIN G	2001	Appl Phys Lett2001，79，：	1
5	Induced strain mechanism of current collapse in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors显示文摘	Koudymov A Tarakji A	2001	Appl Phys Lett2001，79，：	1
6	Stable 20W/mm AlGaN-GaN MOSHFET 显示文摘	SIMIN G ADIVARAHAN V YANG J	2005	Electron Lett2005，41，13：	1
7	Enhancement mode AIGaN/GaN HFET with selectively grown pn junction gate显示文摘	HU X SIMIN G YANG J	2000	EL2000，36，8：	1
8	Stable 20 W/mm A1GaN/GaN MOSHFET 显示文摘	SIMIN G ADIVARAHAN V YANG J	2005	Electron Lett2005，41，13：	1
9	Induced strain mechanism of current collapse in AlGaN/GaN heterostructructure filed-effect transisitors显示文摘	SIMIN G KOUDYMOV TARAKJI A	2001	Appl Phys Lett2001，79，16：	1
10	Hybrid microcavity humidity sensor 显示文摘	SIMIN M PHILIP K MALANCHA G	2013	Applied Physics Letters2013，102，24：	1
11	Field-Plate Engineering for HFETs显示文摘	Karmalkar S Shur M S Simin G	2005	IEEE Transactions on Electron Devices2005，52，12：	1
12	Field-plate engineering for HFETs显示文摘	Karmatkar S Shur M S Simin G	2005	IEEE Trans Electron Devices2005，52，12：	1
13	Mechanism of radio-frequency current collapse in GaN -AlGaN field-effect transistors显示文摘	TARAKJI A SIMIN G ILINSKAYA N	2001	Appl Phys Lett2001，78，：	1
14	Selective area deposited blue GaN - InGaN multiple - quantum well light emitting diodes over silicon substrate 显示文摘	Yang J W Lunev A Simin G	2000	Appl Phys Lett2000，76，3：	1
15	AIGaN/InGaN/ GaN double heterostructure field-effect transistor显示文摘	Simin G Hu X Tarakji A	2001	Jpn J Appl Phys2001，40，11：	1
16	Si3N4/AlGaN/GaN-metal-insulator-semiconductor heterostructure field -effect transistors显示文摘	HU X KOUDYMOV A SIMIN G	2001	Appl Phys Lett2001，79，17：	1
17	Compact model of current collapse in heterostructure field-effect transistors 显示文摘	KOUDYMOV A SHUR M S SIMIN G	2007	Electron Device Letters IEEE2007，28，5：	1
18	Selective area deposited blue GaN-InGaN multiple-quantum well light emitting diodes over silicon substrates 显示文摘	YANG J W LUNEV A SIMIN G	2000	Applied Physics Letters2000，76，3：	1
19	Alcohol Intake and Risk of Coronary Heart Disease in Younger, Middle-Aged, and Older Adults显示文摘	Ulla A. Hvidtfeldt Janne S. Tolstrup Marianne U. Jakobsen Berit L. Heitmann Morten Gr?nb?k Eilis O?Reilly Katarina B?lter Uri Goldbourt G?ran Hallmans Paul Knekt Simin Liu Mark Pereira Pirjo Pietinen Donna Spiegelman June Stevens Jarmo Virtamo Walter C. W	2010	Circulation2010，，14：	1
20	Si3N4/AlGaN/ GaN- metal- insulator- semiconductor heterostructure field- effect transistors显示文摘	Hu X Koudymov A Simin G	2001	Appl Phys Lett2001，79，：	1

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