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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	应力条件下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究显示文摘采用应力测试方法,获得了AlGaN/GaN HEMT漏极电流随时间的变化关系。实验结果表明, 应力导致漏极电流崩塌56.2%;不同电压应力条件下,只要所加时间足够长和电压足够大,相同栅压的电流崩塌程度都近似相等;漏极电流恢复时间与大小分别为34.5+αVGS与α(VGS-VT)(2-βt)。研究表明,栅- 漏间表面态捕获的电子使得表面电势发生变化,引起沟道中二维电子气浓度降低,从而导致电流崩塌效应的产生。此结论可望用于AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应进一步的理沦探索和器件研究。	龙飞杜江锋罗谦夏建新杨谟华	2006	半导体技术2006，31，3：	0

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