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3篇 您的检索式:作者名="R.Muller"
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1p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器研究显示文摘本文首次对具有p-InGaAs肖特基势垒增强层的p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器做了较系统研究。实验结果表明:具有20nm厚增强层器件的暗电流为3.5×10(-11)A(5伏,30×40μm^2);而具有40nm厚增强层器件的FWHMM为350ps(6伏)。史常忻 A.Mesquida Kusters A.Kohl R.Muller K.Heime 1993Journal of Semiconductors1993,14,3:2
2Oxidative stress and erythrocyte damage in Kenyan children with severe Plasmodium falciparum malaria显示文摘Michael J.Griffiths FrancisNdungu Karen L.Baird David P. R.Muller KevinMarsh Charles R. J. C.Newton 2002British Journal of Haematology2002,,2:1
3分离细小颗粒的真空带滤机用滤布的特性及发展显示文摘本文将述及在真空过滤机的实际应用中的细微颗粒的分离趋势和带滤机用滤布的要求,并着重讨论多层滤布在不同行业中越来越广泛应用的可能性。Hans R.Muller Christoph Maurer 1999过滤与分离1999,9,1:1
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