| 1 | p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器研究显示文摘本文首次对具有p-InGaAs肖特基势垒增强层的p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器做了较系统研究。实验结果表明:具有20nm厚增强层器件的暗电流为3.5×10(-11)A(5伏,30×40μm^2);而具有40nm厚增强层器件的FWHMM为350ps(6伏)。 | 史常忻 A.Mesquida Kusters A.Kohl R.Muller K.Heime | 1993 | Journal of Semiconductors1993，14，3： | 2 |
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