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| 1 | 长波长低暗电流高速In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器显示文摘本文首次介绍了用低温MOVPE技术,研制成功具有非掺杂InP 肖特基势垒增强层的InCaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD).其暗电流在 1.5伏下小于 60 nA(100 ×100)微米~2;响应时间t_r小于30 ps(6伏).其灵敏度在6 V下为0.42 A/W. | 史常忻 K.Heime | 1991 | Journal of Semiconductors1991，12，12： | 5 |
| 2 | InGaAs/InP异质结界面层的应变研究显示文摘采用液态的叔丁基砷 (tertiarybularsine ,TBAs)和叔丁基磷 (tertiarybulphosphine ,TBP)为源材料 ,用有机金属气相外延 (metalorganicvaporphaseepitaxy ,MOVPE)生长了与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InP超晶格 .高精度X射线衍射的结果表明 ,在In GaAs与InP单异质结界面处 ,存在一个压应变的界面层 .可利用相同的界面模型来模拟InGaAs/InP超晶格的X射线衍射实验结果 .该结果表明 ,TBAs吹扫InP表面对界面应变产生很大的影响 .为此提出了一种新的界面气体转换顺序来控制InGaAs/InP超晶格的界面应变 ,它先把Ⅲ族源转入反应室 ,以此来降低TBAs对InP表面的影响 ,由此得到的超晶格的平均应变减小 ,光致发光的峰值能量出现蓝移 . | 徐现刚 崔得良 唐喆 郝霄鹏 K.Heime | 2001 | 中国科学(A辑)2001，31，9： | 2 |
| 3 | p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器研究显示文摘本文首次对具有p-InGaAs肖特基势垒增强层的p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器做了较系统研究。实验结果表明:具有20nm厚增强层器件的暗电流为3.5×10(-11)A(5伏,30×40μm^2);而具有40nm厚增强层器件的FWHMM为350ps(6伏)。 | 史常忻 A.Mesquida Kusters A.Kohl R.Muller K.Heime | 1993 | Journal of Semiconductors1993，14，3： | 2 |
| 4 | InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine显示文摘Lattice-matched InGaAs/InP heterostructures have been grown by using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) with tertiarybutylarsine (TBAs), tertiarybutylphosphine (TBP) as the group Ⅴ sources. The results of X-ray diffraction on InGaAs/InP single herterostructure show that there is a compressive-strained interfacial layer at the InP-to-lnGaAs interface. X-ray diffraction of InGaAs/InP superlattices is successfully simulated by using the same interfacial layer. TBAs purging of InP surface has a significant influence on the interfacial strain. A novel gas switching sequence, which switches group Ⅲ to the run line earlier than TBAs, is proposed to reduce this interfacial strain. As a result,the average compressive strain of superlattices decreases, and a blue shift of photoluminescence (PL)peak energy and narrowing in PL width are obtained. | 徐现刚 崔得良 唐喆 郝霄鹏 K.Heime | 2002 | Science China Mathematics2002，45，5： | 1 |
| 5 | BRAQWET能带结构和优化设计参量显示文摘对 n型源区、p型势垒区和具有 δ(p+ )薄层势垒区的两种结构 BRAQWET的能带模型 ,作了严格的定量分析 ,由此可以导出设计良好器件的优化参量。这是设计 | 史常忻 K.Heime | 2002 | 固体电子学研究与进展2002，22，1： | 0 |
| 6 | Optimum Parameters of MgZnSSe/ZnSe BRAQ WET显示文摘A theoretical basis of optimally designed BRAQWET is pr esented. The optimum parameters of MgZnSSe/ZnSe BRAQWET are obtained by the ca lculation of band-structure according to the depletion approximation. | SHIChang-xin K.Heime 等 | 2000 | Semiconductor Photonics and Technology2000，6，4： | 0 |
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