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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算显示文摘将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD简化为一维模型,并通过理论分析,得出了它的暗电流特性,进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。	覃化史常忻王森章	1998	固体电子学研究与进展1998，18，2：	2
	2	具有势垒增强层的MSM光电探测器特性的模拟显示文摘无势垒增强型的金属—半导体—金属光电探测器(MSM-PD)已有过理论分析[1],而对具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD则缺乏理论分析。文章将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSMPD简化为一维模型,并通过理论分析,得出了它的暗电流特性。其结果与实验的相符。	覃化史常忻王森章	1998	半导体光电1998，19，1：	0

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