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| 1 | Three-layer phosphorene-metal interfaces显示文摘Phosphorene 最近由于它的高级搬运人活动性和悦耳的直接 bandgap 在电子的 nanoscale 和 optoelectronic 设备作为其他的隧道材料吸引了许多注意。与单层(ML ) 相比 phosphorene,很少层(FL ) phosphorene 更容易准备,在实验是更稳定的,并且被期望在 phosphorene 金属接口形成更小的 Schottky 障碍高度(SBH ) 。用 ab initio ,电子结构计算和量搬运模拟,我们执行界面的性质的系统的研究三层( 3L ) phosphorene 领域效果晶体管(联邦货物税)与几普通金属联系了(艾尔, Ag , Au , Cu , Ti , Cr , Ni ,并且 Pd )第一次。从投射乐队在垂直方向获得的 SBH 3L phosphorene 金属系统组织到左 bilayer (2L ) phosphorenes 是可比较的,那些为 2L phosphorene 联邦货物税从量运输模拟在侧面的方向获得了。当分别地, Ag 和 Cu 被用作电极,p类型 Schottky 与 0.05 的洞 SBH 联系时,为 3L phosphorene 联邦货物税的量运输模拟证明 3L phosphorene 在侧面的方向与 0.16 和 0.28 eV 的电子 SBH 形成n类型 Schottky 接触, 0.11 , 0.20 ,在侧面的方向的 0.30 , 0.30 ,和 0.31 eV 当 Cr , Pd , Ni , Ti ,艾尔,和 Au 分别地被用作电极时。3L phosphorene 联邦货物税的计算极性和 SBH 通常与可得到的实验一致。 | Xiuying Zhang Yuanyuan Pan Meng Ye Ruge Quhe Yangyang Wang Ying Guo Han Zhang Yang Dan Zhigang Song Jingzhen Li Jinbo Yang Wanlin Guo Jing Lu | 2018 | Nano Research2018，11，2： | 2 |
| 2 | High-performance sub-10-nm monolayer black phosphorene tunneling transistors显示文摘 | Hong Li Jun Tie Jingzhen Li Meng Ye Han Zhang Xiuying Zhang Yuanyuan Pan Yangyang Wang Ruge Quhe Feng Pan Jing Lu | 2018 | Nano Research2018，11，5： | 2 |
| 3 | Electrical contacts in monolayer blue phosphorene devices显示文摘半导体的单层(ML ) 蓝色 phosphorene (BlueP ) 与 ML 黑 phosphorene (BP ) 分享类似的稳定性,并且它最近有在 Au 表面上是成年的。潜在的 ML BlueP 设备经常与金属要求直接接触启用搬运人的注射。第一次,用 ab initio,电子结构计算和量搬运模拟我们在与在一只领域效果晶体管(联邦货物税) 跨越一个宽工作函数范围的金属的接触执行 ML BlueP 的界面的性质的系统的研究配置。ML BlueP 由于和五金属的强壮的相互作用经历了 metallization。与 0.42 的一个卡住的因素由于导致金属的差距状态(米格机) 在 ML BlueP 联邦货物税有强壮的费密水平(FLP ) ,卡住。分别地, ML BlueP 与 0.22, 0.22,和 0.80 eV 的电子 Schottky 障碍高度(SBH ) 与 Sc, Ag,和磅电极形成 n 类型 Schottky 接触并且与有 0.61 和 0.79 eV 的洞 SBH 的 Au 和 Pd 电极的 p 类型 Schottky 接触分别地。米格机被在 ML BlueP 和金属电极之间插入 graphene 消除,从强壮的 FLP 由转变伴随了到弱 FLP。我们的学习不仅提供卓见进 ML BlueP 金属接口,而且在 ML BlueP 设备的设计帮助。 | Jingzhen Li Xiaotian Sun Chengyong Xu Xiuying Zhang Yuanyuan Pan Meng Ye Zhigang Song Ruge Quhe Yangyang Wang Han Zhang Ying Guo Jinbo Yang Feng Pan Jing Lu | 2018 | Nano Research2018，11，4： | 2 |
| 4 | All‐Metallic Vertical Transistors Based on Stacked Dirac Materials显示文摘 | Yangyang Wang Zeyuan Ni Qihang Liu Ruge Quhe Jiaxin Zheng Meng Ye Dapeng Yu Junjie Shi Jinbo Yang Ju Li Jing Lu | 2015 | Adv. Funct. Mater2015，，： | 1 |
| 5 | Quantum transport simulation of the two-dimensional GaSb transistors显示文摘Owing to the high carrier mobility,two-dimensional(2D)gallium antimonite(GaSb)is a promising channel material for field-effect transistors(FETs)in the post-silicon era.We investigated the ballistic performance of the 2D GaSb metal-oxide-semiconductor FETs with a 10 nm-gate-length by the ab initio quantum transport simulation.Because of the wider bandgap and better gate-control ability,the performance of the 10-nm monolayer(ML)GaSb FETs is generally superior to the bilayer counterparts,including the three-to-four orders of magnitude larger on-current.Via hydrogenation,the delaytime and power consumption can be further enhanced with magnitude up to 35%and 57%,respectively,thanks to the expanded bandgap.The 10-nm ML GaSb FETs can almost meet the International Technology Roadmap for Semiconductors(ITRS)for high-performance demands in terms of the on-state current,intrinsic delay time,and power-delay product. | Panpan Wang Songxuan Han Ruge Quhe | 2021 | Journal of Semiconductors2021，42，12： | 0 |
| 6 | Super low contact resistance in monolayer MoS_(2) transistors显示文摘Two-dimensional(2D) materials have inspired the development of beyond-silicon electronic technology owing to their atomically thin size, flat surfaces without dangling bonds,and high mechanical strength [1-3]. Contact resistance(R_(c)) is the key to realizing high-performance 2D field-effect transistors(FETs). | Qiuhui Li Xingyue Yang Ruge Quhe Jing Lu | 2023 | Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)2023，66，9： | 0 |
| 7 | Super high maximum on-state currents in 2D transistors显示文摘Two-dimensional(2D)materials have been recognized as a type of potential channel material to replace silicon in future field-effect transistors(FETs)by the International Technology Roadmap for Semiconductors(ITRS)and its succesor the International Roadmap for Devices and Systems(IRDS)[1−4].Substantial first principle quantum transport simulations have predicted that many 2D transistors,including those with MoS2,WSe2,phosphorene,and Bi2O2Se channels,own excellent device performance and are able to extend Moore’s law down to the sub-10 nm scale[4]. | Xiaotian Sun Qiuhui Li Ruge Quhe Yangyang Wang Jing Lu | 2022 | Journal of Semiconductors2022，43，12： | 0 |
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