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| 1 | SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法显示文摘报道了 SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法 ,详细地研究了 SIMOX材料的红外吸收光谱特性 ,求出了特征峰对应的吸收系数 .提出利用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法 ,并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度 .SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是 SOI电路设计时最重要的两个参数 ,提供的非破坏性测量方法 ,测量误差小于5% .在 SIMOX材料开发利用、批量生产中 ,用此方法可及时方便地检测 SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度 。 | 卢殿通 P.L.F.Hemment | 2000 | Journal of Semiconductors2000，21，10： | 2 |
| 2 | SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究显示文摘本文研究了利用大剂量的N^+和O^+注入单晶硅并经高温热退火以后形成的SOI(silicon on Insulator)新材料的形成过程及其多层结构.对SOI结构进行了红外吸收谱和反射谱的测量,通过对红外反射干涉谱的理论分析和计算机模拟,得到了SOI结构的折射率分布.研究表明,利用离子束合成技术可以获得高质量的SOI材料,红外吸收谱和反射谱的测量分析是一种有效的、非破坏性的检测方法. | 林成鲁 俞跃辉 方子韦 张顺开 倪如山 邹世昌 李金华 P.L.F.Hemment | 1990 | 中国科学(A辑)1990，21，9： | 2 |
| 3 | 离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟显示文摘以离子背散射和二次离子质谱分析了大剂量N^+离子注入A1形成的A1/A1N/A1多层结构。基于离子注入形成A1N埋层的机理,利用计算机程序动态模拟A1N层的形成过程及终态结构。研究发现,N/A1原子比饱和于A1N化学组分比,模拟与实验结果符合得很好;低能注入能降低形成A1N层的临界剂量,且A1/A1N界面更陡。 | 施左宇 林成鲁 朱文化 U.Bussmann P.L.F.Hemment 邹世昌 | 1993 | 功能材料1993，24，3： | 1 |
| 4 | 锗离子注入硅单晶的非晶化及二次缺陷的研究显示文摘本文用卢瑟福背散射(RBS),横断面透射电子显微镜(XTEM)及微区电子衍射技术研究了锗离子注入硅单晶中的非晶化及二次缺陷的特性。离子注入能量为400keV,剂量范围为1×100^(13)至1×10^(15)/cm^2,离子束流强度为0.046μA/cm^2,注入温度为室温。实验发现,在本工作的离子注入条件下,入射锗离子使硅单晶表面注入层开始非晶化的起始剂量大于0.6×10^(14)/cm^2。形成一个完整匀质表面非晶层所需的临界剂量为1×10^(15)/cm^2。热退火后产生的二次缺陷特性极大地受到退火前样品注入层非晶化程度的影响。 | 范缇文 张敬平 P.L.F.Hemment | 1993 | Journal of Semiconductors1993，14，12： | 0 |
| 5 | 新型超硬材料氮化碳CN_x的离子束合成的研究显示文摘报道了利用100Kev高剂量N^+在不同的温度条件下注入C膜合成新型超硬材料β-C_3N_4的新结果.对这种新材料进行了X射线光电子能谱,Fourier变换红外光谱、Raman光谱、剖面透射电子显微镜、Rutherford背散射谱、X射线衍射及Vickers显微硬度等测量.结果表明利用100Kev高剂量N^+注入C膜成功地合成了埋层氮化碳CN_(?)膜中C≡N共价键的形成导致膜的硬度明显提高.最后利用Implantation of Reactive Ions into Silicon (IRIS)计算程序模拟了相同条件的N^+注入C膜合成埋层β-C_3N_4的形成过程,结果与实验符合较好. | 辛火平 林成鲁 许华平 邹世昌 石晓红 吴兴龙 朱宏 P.L.F.Hemment | 1996 | 中国科学(E辑)1996，26，3： | 0 |
| 6 | SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究显示文摘本文报道了在SIMOX(Separation by IMPlanted Oxygen)薄膜材料上制备钛硅化物的研究结果。研究表明,不同厚度的SIMOX薄膜材料上都形成了均匀的TiSi_2,其薄层电阻为4.0—4.5Ω/□,上层Si中的载流子峰值浓度达2×10^(20)/cm^3,获得了一种TiSi_2/n^+-Si/SiO_2/Si的多层结构。形成TiSi_2后,As原子在上层Si中的分布与SIMOX薄膜厚度有关,当上层Si很薄时,As原子在上层Si与SiO_2埋层的界面上的堆积是明显的。 | 林成鲁 周伟 邹世昌 P.L.F.Hemment | 1990 | Journal of Semiconductors1990，11，6： | 0 |
| 7 | 离子束合成SOI多层结构的研究显示文摘本文报道了借助高剂量离子注入、高温退火等技术获得不同类型SOI(Silicon on Insulator)材料的形成过程及其多层结构。以离子背散射和沟道技术、Auger能谱、透射电子显微镜、扩展电阻测试以及红外透射和反射等分析方法对这些SOI结构进行表征。比较了注O^+和注N^+两种SOI材料的优缺点。研究表明,高质量的SOI材料能够通过离子束合成技术获得。 | 林成鲁 张顺开 朱文化 邹世昌 李金华 P.L.F.Hemment | 1991 | 微细加工技术1991，，3： | 0 |
| 8 | Microstructural Characterization of Epitaxial GaAs on Separation-by-Implanted-Oxygen Substrates显示文摘The direct growth of GaAs by molecular-beam epitaxy on separation-by-implanted-oxygen substrates is demonstrated.Cross-sectional trajismission electron microscopyt Rutherford backsca,ttering and channeling techniques have been employed to characterize these layers.Microtwins and threading dislocation are the predominant defects in the layers.Most of the misfit dislocation are conGned within the Ga.As and Si interface region by forming a type of edge dislocation. | ZHU Wenhua LIN Chenglu NI Rushan LI Aizhen ZOU Shichang P.L.F.Hemment | 1991 | Chinese Physics Letters1991，8，10： | 0 |
| 9 | SIMOX薄膜材料的电学性能显示文摘本文主要研究高剂量氧离子 (1 4~ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了不同的注入条件和退火条件对表面Si单晶层的载流子度和迁移率的影响。 | 卢殿通 P.L.F.Hemment | 2000 | 半导体杂志2000，25，1： | 0 |
| 10 | MULTI-LAYER STRUCTURES AND OPTICAL PROPERTIES OF SIMNI AND SIMOX MATERIALS显示文摘The formation process and multi-layer structures of silicon-on-insulator (SOI) materialsformed by high-dose N^+ and O^+ implantation and high-temperature annealing have been inves-tigated. Infrared (IR) absorption and reflection spectra have been measured for SOI struc-tures. From detailed theoretical analysis and computer simulation of the IR reflection interfer-ence spectra, refractive index profiles of SOI structures were obtained. It has been provedthat the high-quality SOI materials could be produced with ion beam techniques. The resultsof this study also indicate that the IR absorption and reflection spectroscopic measurementare nondestructive and effective methods to examine the quality of SOI materials. | 林成鲁 俞跃辉 方子韦 张顺开 倪如山 邹世昌 李金华 P.L.F.HEMMENT | 1991 | Science China Mathematics1991，34，3： | 0 |
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