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1篇 您的检索式：作者名="U.Bussmann"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟显示文摘以离子背散射和二次离子质谱分析了大剂量N^+离子注入A1形成的A1/A1N/A1多层结构。基于离子注入形成A1N埋层的机理,利用计算机程序动态模拟A1N层的形成过程及终态结构。研究发现,N/A1原子比饱和于A1N化学组分比,模拟与实验结果符合得很好;低能注入能降低形成A1N层的临界剂量,且A1/A1N界面更陡。	施左宇林成鲁朱文化 U.Bussmann P.L.F.Hemment 邹世昌	1993	功能材料1993，24，3：	1

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