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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	从离子注入到离子束合成──离子束领域的重大进展显示文摘本文综述了离子束科学技术领域新的重大进展─从作为半导体掺杂手段的低剂量(10￣(11)~10￣(16)/cm￣2)离子注入到高剂量(10￣(17)~10￣(18)/cm￣2)离子注入以合成(IBS)新材料。文中讨论了高剂量注入的物理效应,利用高剂量氧注入硅合成SIMOX材料的物理过程以及离子束合成的多种应用。	邹世昌林成鲁	1995	功能材料与器件学报1995，1，1X：	0
	2	离子束合成SIMOX技术的进展显示文摘综述了离子束科学技术领域新的重要进展──从作为半导体掺杂手段的低剂量(1011~1016/cm2)离子注入到高剂量(1017~1018/cm2)离子注入合成新材料的离子束合成技术。讨论了高剂量注入的物理效应,介绍了利用高剂量氧注入硅合成SIMOX材料的物理过程以及SIMOX技术的多种应用。提出了提高SIMOX材料性能的各种途径。	林成鲁周祖尧竺士炀林梓鑫倪如山	1996	微电子学1996，26，3：	0

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