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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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15篇 您的检索式：作者名="Musseau O"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1A study of radiation vulnerability of ferroelectric material and devices显示文摘COLC Y M MUSSEAU O LERAY J L 1994IEEE Trans Nucl Sci1994，41，3：1
2Analysis of multiple bits upsets(MBU)in a CMOS SRAM显示文摘Musseau O Gardic F Rocke P 1996IEEE Trans Nucl Sci1996，43，：1
3Single-event effects in SOI technologies and devices显示文摘Musseau O 1996IEEE Transactions on Nuclear Science1996，43，2：1
4Single-event effects in SO1 technologies and devices 显示文摘Musseau O 1996IEEE Trans Nucl Sci1996，，43：1
5Total dose induced latch in short channel NMOS/SOI transistors 显示文摘Ferlet -Cavrois V Musseau O Flament O 1998IEEE Trans Nucl Sci1998，45，：1
6查看详情显示文摘Ferlet-Cavrois V Colladant 'r Paillet P Leray J Musseau O Schwank J R Shaneyfelt M R Pelloie J Poncharraorst J P 0，，：1
7Charge collection and sen mechanisms显示文摘Musseau O 1994Radiat Phys Chem1994，43，12：1
8IEEE Trans Nucl Sci显示文摘Leray J L Dupont-Nivet E Musseau O 198835:13551988，35，：1
9A study of radiation vulnerability of ferroelectric material and devices 显示文摘Colc Y M Musseau O Leray J L 1994IEEE Trans Nucl Sci1994，41，3：1
10Analysis of multiple bit upsets (MBU) in a CMOS SRAM 显示文摘Musseau O Gardic F Roche P 1996IEEE Transactions on Nuclear Science1996，43，6：1
11Single-event effects in SOI technologies and devices 显示文摘Musseau O 1996Nuclear Science IEEE Transactions on1996，43，2：1
12Impact of ion energy on single-event up- set显示文摘DODD P E MUSSEAU O SHANEYFELT M R 1998IEEE Trans Nucl Sci1998，45，6：1
13Analysis of multiple bit upsets (MBU) in CMOS SRAM显示文摘MUSSEAU O GARDIC F ROCHE P 1996IEEE Transactions on Nuclear Science1996，43，6：1
14Post-irradiation Effects in a Rad-hard Technology显示文摘 Musseau O Flament O 1996IEEE Trans Nucl Sci1996，43，3：1
15Medium-energy heavy-ion single-event-burnout imaging of power MOSFETs显示文摘 torres A 1999IEEE Trans Nuclear Science1999，46，6：1
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