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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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19篇 您的检索式：作者名="VESCAN L"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1High-confinement SiGe Low-loss Waveguides for Si-based Optoelectronics 显示文摘POGOSSIANA S P VESCAN L VONSOVICI A 1999Appl Phys Lett1999，75，10：1
2Si/Si1-xGex/Si low-loss waveguides fabricated using selective epitaxial growth显示文摘ADRIAN Vonsovici SOUREN P VESCAN L 2001Proceeding of SPIE2001，，4293：1
312 W/ram A1GaN-GaN HFETs on silicon substrates显示文摘Johnson J W Piner E L Vescan A 2004IEEE Electron Device Letters2004，25，8：1
4Facet investigation in selective epitaxial growth of Si and SiGe on (001) Si for optoelectronic devices 显示文摘VESCAN L GRIMM K DIEKER C 1998Journal of Vacuum Science & Technology: B1998，16，3：1
5Photoluminescence and electroluminescence of SiGe dots fabricated by island growth 显示文摘 VESCAN L HARTMANN A 1995Appl Phys Lett1995，66，4：1
6Expanded endonasal approach: vidian canal as a landmark to the petrous internal carotid artery显示文摘Kassam A B Vescan A D Carrau R L 2008Neurosurg2008，108，2：1
7Vidianemlal : analysis and relationship to the internal carotid ar-tery显示文摘Vescan A D Snyderman C H Carran R L 2007Laryngoscope2007，117，8：1
8The single- mode condition for semiconductor rib waveguides with large cross section 显示文摘POGOSSIAN S P VESCAN L VONSOVICI A 1998Journal of Lightwave Technology1998，16，10：1
912 W/ram AlGaN-GaN HFETs on silicon substrates显示文摘Johnson J W Piner E L Vescan A 2004IEEE Electron Device Lett2004，25，7：1
10Expand-ed endonasal approach : vidian canal as a landmark to thep retous internal carotid artery 显示文摘Kassam A B Vescan A D Carrau R L 2008J Neurosurg2008，108，1：1
11Investigation of plastic relaxation in Si1-x Gex/Si deposited by selective epitaxy显示文摘Wickenhauser S Vescan L 1998Mater Res Soc Symp Proc1998，533，：1
12Relaxation mechanism of low temperature SiGe/Si(001 ) buffer layers显示文摘Vescan L Wickenhauser S 2004Solid-State Electron2004，48，8：1
13The single-mode condition for semicondouctor rib waveguides with large cross section 显示文摘Pogossian S P Vescan L Vonsovici A 1998IEEE Journal of Lightwave Techolngy1998，16，：1
14The single-mode condition for semiconductor rib waveguides with large cross section 显示文摘 Vescan L Vonsovici A 1998Lightwave Technology1998，16，10：1
15Relaxation mechanism of low temperature SiGe/Si (001) buffer layers显示文摘Vescan L L Wickenhauser S 2004Solid State Electronics2004，48，8：1
16Expanded endonasal approach: vidian canal as a landmark to the petrous internal carotid artery显示文摘KASSAM A B VESCAN A D CARRAU R L 2008J Neurosurg2008，108，：1
17Vidian canal: analysis and relationship to the internal carotid artery 显示文摘VESCAN A D SNYDERMAN C H CARRAU R L 2007Laryngoscope2007，117，：1
1812 W/mm A1GaN-GaN HFETs on silicon substrates显示文摘Johnson J W Piner E L Vescan A 2004IEEE Electron Device Letters2004，25，8：1
1912 W/mm AlGaN-GaN HFETs on silicon substrates显示文摘Johnson J W Piner E L Vescan A 2004IEEE Electron Device Letters2004，25，8：1
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