维普期刊资源整合服务平台（V6.5）

63篇 您的检索式：作者名="Udrea"

选中清除导出查看参考文献查看引证文献引用追踪共4页首页上一页第1页下一页末页 /4 跳转

	题名	作者	年代	出处	被引量
1	IGBT:概念、发展与新结构(英文)显示文摘绝缘栅双极晶体管(IGBT)是当今最具创新性的功率器件,是目前为止唯一将MOSFET和双极结型晶体管结合在单元胞中的器件。由于MOSFET和双极结型晶体管对开关控制和导通状态都有影响,因此为了优化器件性能及安全工作区,对二者的工作状态需要仔细地折中考虑。文章阐述了IGBT技术的发展历史、器件结构及发展前景,涉及IGBT的基本概念及技术挑战,讨论了促使IGBT更新换代的主要技术进程,最后介绍了一些IGBT新型器件结构及新兴技术。	Florin Udrea	2017	大功率变流技术2017，0，5：	3
2	An Analytical Model for the Lateral Insulated Gate Bipolar Tran-sistor(LIGBT)on Thin SOI显示文摘	VASANTHA Pathirana ETTORE Napoli FLORIN Udrea	2006	Power Electronics IEEE Trans-actions on2006，21，6：	1
3	The 3D RESURF double-gate MOSFET:a revolutionary power device concept显示文摘	UDREA F POPESCU A MILNE W I	1998	Elec Lett1998，34，8：	1
4	Modelling of self-heating effect in thin SOI and partial SOI LDMOS power devices显示文摘	LIM H T UDREA F GARNER D M	1999	Sol Sta Elec1999，43，12：	1
5	SOI power devices显示文摘	UDREA F GARNER D SHENK	2000	Elec & Commoun Engineer J2000，12，1：	1
6	SOI power devices显示文摘	UDREA F GARNER D SHENG K	2000	Elec and Commun Engineer J2000，12，1：	1
7	Nonlinear spectral subtraction method for colored noise reduction using multiband bark scale显示文摘	UDREA R M VIZIREANU N CIOCHINA S		0，，5：	1
8	Advanced SPICE modeling of large power IGBT modules 显示文摘	AZAR R UDREA F SILVA D	2004	IEEE Transactions on Industry Applications2004，40，3：	1
9	Speech Enhancement Using Spectrum Over-subtraction and Residual Noise Reduction显示文摘	Udrea Radu M Ciochina S		0，，1：	1
10	An analytic model for turn off in the silicon-on-insulator LIGBT显示文摘	F Udrea H T Lim	1999	Solid-State Electronics1999，43，10：	1
11	Tungsten-based SOI microhot-plates for smart gas sensors 显示文摘	Ali S Z Udrea F Milne W I	2008	Journal of Micro-electro-mechan-ical Systems2008，17，：	1
12	SOI Power Devices 显示文摘	UDREA F GARNER D SHENG K	2000	Electronics & Communication Engineering Journal2000，1，：	1
13	Lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) structure based on partial isolation SOl technology 显示文摘	UDREA F MILNE W POPESCU A	1998	Electronics Letters1998，3310，：	1
14	The softsuperjunction insulated gate bipolar transistor: a highspeed structure with enhanced electron injection 显示文摘	ANTONIOU M UDREA F BAUER F	2011	IEEE Transactions on Electron Devices2011，58，3：	1
15	Theorical and numerical comparison between DMOS and trench technologies for insulated gate bipolar transistors显示文摘	Udrea F Amaratuniga G A	1995	IEEE Transaction on Electron Devices1995，42，7：	1
16	Modelling of self- heating effect in thin SOl and Partial SOI LDMOS power devices显示文摘	Lira H T Udrea F Garner D M	1999	Solid - State Electronics1999，43，7：	1
17	Estimation of the Noise Power in the NPVSS- NLMS Algorithm 显示文摘	UDREA R M BENESTY J	2010	IEEE Trans on Signal Processing2010，50，2：	1
18	An improved spec- tral subtraction method for speech enhancement using a per- ceptual weighting filter显示文摘	Udrea R M Vizireanu N D Ciochina S	2008	Digital Signal Processing2008，18，4：	1
19	Breakdown voltage for superjun-ction power devices with charge imbalance显示文摘	Napoli E Wang H Udrea F	2009	IEEE Trans on Electron Devices2009，56，12：	1
20	Theoretical and Numerical Comparison between DMOS and Trench Technologies for Insulated Gate Bipolar Transistors显示文摘	Florin Udrea Gehan A J	1995	IEEE Trans on ED1995，42，7：	1

返回顶部每页显示：

共4页首页上一页第1页下一页末页 /4 跳转

互联网出版许可证新出网证(渝)字10号全国400电话 - 免长途话费

用户提示