2篇
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| 1 | 电阻式核磁共振测量的最新进展显示文摘电阻式核磁共振(RDNMR)测量是1988年由德国马普所的von Klitzing研究小组针对GaAs二维电子气中少量核自旋的探测而提出的一种具有超高灵敏度的实验技术.目前,RDNMR已经成为研究单层或双层GaAs二维电子气核自旋和电子自旋特性的重要手段.由于为实现电阻式核磁共振测量所建立的动态核极化方法强烈依赖于GaAs特有的材料属性,至今这一技术一直没有扩展应用到其他半导体低维系统中.最近,本研究小组发展了一种动态核极化新方法,成功实现了对典型窄带半导体锑化铟(InSb)二维电子气的电阻式核磁共振测量.本文在介绍电阻式核磁共振测量工作原理及已建立的典型动态核极化方法的基础上,着重讨论所提出的动态核极化新方法的机理、实验结果以及对今后研究的展望. | 刘洪武 杨凯锋 T.D.Mishima M.B.Santos K.Nagase Y.Hirayama | 2012 | 物理学报2012，61，14： | 0 |
| 2 | Effect of substrate miscut on the electron mobility in InSb(001) structures on Ge and Ge-on-insulator substrates显示文摘InSb epilayers and InSb/Al0.20In0.80Sb quantum wells were grown on Ge(001)substrates and Ge-on-insulator(GeOI)-on-Si(001)substrates by molecular beam epitaxy.Growth on both on-axis and 4°-off-axis substrate orientations was studied.Anti-phase domains were formed when InSb films were grown on on-axis substrates,but suppressed significantly by the use of 4°-off-axis substrates.Such off-axis substrates also reduced the densities of micro-twin defects and threading dislocations.The defect reduction resulted in an increase in the room-temperature electron mobility from 37,000 to 59,000 cm2/Vs in 4.0-lm-thick InSb epilayers and from 10,000 to20,000 cm2/Vs in 25-nm-thick InSb quantum wells on Ge(001)and GeOI-on-Si(001)substrates. | M.C.Debnath T.D.Mishima M.B.Santos K.Hossain | 2014 | Chinese Science Bulletin2014，59，4： | 0 |
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