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1篇 您的检索式：作者名="Shiro Entani"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Contracted interlayer distance in graphene/sapphire heterostructure显示文摘绝缘体上的 graphene 的直接生长被期望在性能产出重要改进基于 graphene 电子并且 spintronic 设备。在这研究,我们成功地揭示原子安排和单个层的 graphene 和 -Al₂ O < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > 3 (0001) 。-Al₂ O < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > 3 (0001) 揭示了 apparentcontradiction。在里面飞机分析证明单个层的 graphene 不以一种单人赛水晶的取向附生的方式,但是相当在多晶的形式成长,与二强烈显著的比较喜欢的取向。这建议相对弱的界面的相互作用是起作用的。然而,我们表明那在 graphene 和 -Al₂ O <潜水艇class=“ a-plus-plus ”> 3 (0001)存在,是由在 graphene 和 -Al₂ O <潜水艇class=“ a-plus-plus ”> 3 (0001)表面。界面的相互作用被显示被涉及 graphene 系统和 -Al₂ O < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > 3 (0001), 而非货车 der Waals 相互作用。做的如此的特征原因 graphene 洞并且使 graphene 能在 -Al₂ O < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > 有尽管有强壮的界面的相互作用的一个仅仅小精力障碍的 3 (0001) 表面。	Shiro Entani Liubov Yu. Antipina Pavel V. Avramov Manabu Ohtomo Yoshihiro Matsumoto Norie Hirao Iwao Shimoyama Hiroshi Naramoto Yuji Baba Pavel B. Sorokin Seiji Sakai	2015	Nano Research2015，8，5：	0

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