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15篇 您的检索式：作者名="Samudra G"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Oxide-bypassed VDMOS (OBVDMOS):an alternative to super-junction high voltage MOS power devices显示文摘	LIANG Y C GAN K P SAMUDRA G S	2001	IEEE Elec Dev Lett2001，22，8：	1
	2	Signal transduction in smooth muscle:Cross-bridge regulation by thin filament-associated proteins显示文摘	Kathleen G M Samudra S G	2001	J Appl Physiol2001，91，：	1
	3	Contact technology for strained nfin FETs with silicon;carbon source/drain stressors featuring sulfur implant and segregation显示文摘	KOH S M SAMUDRA G S YEO Y C	2012	Electron Devices IEEE Trans2012，59，4：	1
	4	Mechanism and treatment progress of pulmonary artery hypertension 显示文摘	Kathleen G M Samudra S G	2004	Chin J Med2004，39，5：	1
	5	Oxide-bypassed VDMOS: an alternative to superjunetion high voltage MOS power device 显示文摘	LIANG Y C GAN K P SAMUDRA G S	2001	IEEE Electron Device Letters2001，22，8：	1
	6	Design of gradient oxide-bypassed super-junction power MOSFETs device 显示文摘	CHEN Y LIANG Y C SAMUDRA G S	2007	IEEE Trans on Power Electron2007，22，4：	1
	7	Signal transduction in smooth muscle invited review:Cross-bridge regulation by thin filament-associated proteins显示文摘	KATHL EEN G M SAMUDRA S G	2001	J Appl Physiol2001，9，：	1
	8	Tungsten nanocrystals embedded in high-k materials for memory application显示文摘	Samanta S K Yoo W J Samudra G	2005	Appl Phys Lett2005，87，11：	1
	9	New Insights Into Carrier Transport in N-MOSFETs显示文摘	Lochtefeld A Djomehri I J Samudra G	2002	IBM Journal of Research and Development2002，46，23：	1
	10	120V interdigitated-drain LDMOS(IDLDMOS)on SOI substrated breaking power LDMOS limit 显示文摘	Xu S M Gan K P Samudra G S	2000	IEEE Trans Elec Dev2000，47，10：	1
	11	A variational approach to the two-dimensional nonlinear Poisson's equation for the modeling of tunneling transistors 显示文摘	CHEN S SERN-LONG O CHUN-HUAT H SAMUDRA G YEE-CHIA Y	2008	Electron Device Letters IEEE2008，29，：	1
	12	Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and germanium UTB MOSFETs显示文摘	Low T Li M F Samudra G	2005	IEEE Trans Electron Dev2005，52，11：	1
	13	Progressive de- velopment of superjunction power MOSFET devices 显示文摘	Yu Chen Yang Xin Samudra G S	2008	Electron Devices2008，55，1：	1
	14	120 V interdigitated-drain LDMOS (IDLDMOS) on SOI substrated breaking power LDMOS limit 显示文摘	XUSM GAN K P SAMUDRA G S	2000	IEEE Trans Elec Dev2000，47，10：	1
	15	Progressive development of super junction power MOSFET devices显示文摘	Yu C Liang Y C Samudra G S	2008	Electron Devices2008，55，1：	1

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