|
|
|
题名
|
作者
|
年代
|
出处
|
被引量
|
| 1 | InP/SiO_2纳米复合膜的微观结构和光学性质显示文摘应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP SiO2 复合薄膜 ,并在几种条件下对这些薄膜进行退火 .X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明 ,复合薄膜中InP和SiO2 的化学组分都大体上符合化学计量配比 .X射线衍射和激光喇曼谱实验结果都证实了复合薄膜中形成了InP纳米晶粒 .磷气氛保护下的高温(5 2 0℃ )退火可以消除复合薄膜中残存的In和In2 O3 并得到了纯InP SiO2 纳米复合薄膜 . | 丁瑞钦 王浩 W.F.LAU W.Y.CHEUNG S.P.WONG 王宁娟 于英敏 | 2001 | 物理学报2001，50，8： | 3 |
| 2 | Ag对CoPt/Ag纳米复合膜的结构与磁性的影响显示文摘采用直流磁控溅射的方法制备了一系列(CoPt/Ag)n多层膜,然后在不同温度下进行了退火处理,并对其结构和磁性做了初步的表征,研究了Ag的含量以及薄膜中每一单元厚度与总厚度对退火后薄膜的结构以及磁性能的影响.结果表明,膜厚较薄时(大约20nm)有利于薄膜沿(001)取向生长,Ag的加入不但能够抑制CoPt晶粒的过分长大还可以诱导薄膜的(001)取向,使退火后的薄膜在垂直于膜面方向上的矫顽力大大增强.对于特定组分为Co40Pt43Ag17的薄膜,经600℃退火后已经显示了明显的(001)取向,垂直于膜面方向上的矫顽力为5.6×105A/m,饱和磁化强度为0.65T,并且磁滞回线具有很好的矩形度,剩磁比(s)为0.95. | 薛双喜 王浩 杨辅军 王君安 曹歆 汪汉斌 高云 黄忠兵 冯洁 W.Y.Cheung S.P.Wong 赵子强 | 2005 | 物理学报2005，54，11： | 2 |
| 3 | Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi_2显示文摘采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征 .结果表明 ,Co/C/Si多层结构经快速热退火 ,可以在 Si(10 0 )衬底上得到导电性能和高温稳定性良好的 Co Si2 薄膜 .C层的加入阻碍了 Co和 Si的互扩散和互反应 ,从而促进了 Co Si2 在硅衬底上的外延 . | 屈新萍 徐蓓蕾 茹国平 李炳宗 W.Y.Cheung S.P.Wong Paul K.Chu | 2003 | Journal of Semiconductors2003，24，1： | 1 |
| 4 | 低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜显示文摘采用磁控溅射(Ag/Cu/CoPt)n多层膜先驱体结合真空退火的方法制备了一系列CoPtCu/Ag纳米复合薄膜,通过优化薄膜中Ag以及Cu的含量,成功制备出了低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜,该膜在450℃退火即可发生相变,该温度比目前所报导的CoPtAg纳米复合膜的相变温度降低了150℃.实验结果表明,薄膜中一定含量的Ag元素能够有效诱导薄膜的(001)取向,Cu元素的加入能有效降低薄膜的有序化温度.对于特定组分为Co40Pt36Cu8Ag16的薄膜,经500℃退火后已经显示了明显的(001)取向,垂直于膜面方向上的矫顽力为5.0×105A/m,并且薄膜中晶粒尺寸仅为4—5nm,为将来CoPt-L10有序相合金薄膜用于超高密度垂直磁记录介质打下了基础. | 薛双喜 王浩 S.P.Wong | 2007 | 物理学报2007，56，6： | 1 |
| 5 | Carrier Density and Plasma Frequency of Alummum Nanofilms显示文摘In this work, the prerequisite and mode of electromagnetic response of Al nanofilms to electromagnetic wave field was suggested.Reflectance, transmittance in infrared region and carrier density of the films was measured. With the carrier density of the films, the dependence of their plasma frequencies on the film thickness was obtained. On the other hand, the dependence of absorptance on the frequency of electromagnetic wave field was set up by using the measured reflectance and transmittance,which provided plasma frequency-film thickness relation as well. Similarity of both plasma frequency-film thickness relations proved plasma resonance as a mode of electromagnetic response in Al nanofilms. | HaoDU JunGONG ChaoSUN RongfangHUANG lISHIWEN W.Y.Cheung S.P.Wong | 2003 | Journal of Materials Science & Technology2003，19，4： | 0 |
| 6 | Co/a-GeSi/Ti/Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi_2薄膜显示文摘研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结构多层薄膜 ,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应。采用四探针电阻仪、AES、XRD、RBS等方法进行测试。实验表明 ,利用 Co/Ge Si/Ti/Si固相反应形成的 Co Si2 薄膜具有良好的外延特性和电学特性 ,Ti中间层和非晶 Ge Si中间层具有促进和改善 Co Si2 外延质量 ,减少衬底耗硅量的作用。Ge原子的存在能够改善外延 Co Si2 | 徐蓓蕾 屈新萍 韩永召 茹国平 李炳宗 W.Y.Cheung S.P.Wong Paul K.Chu | 2003 | 固体电子学研究与进展2003，23，2： | 0 |
| 7 | InP/SiO2纳米颗粒膜的非线性光学性质显示文摘采用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光单晶硅片上制备了InP/SiO2纳米复合薄膜,并在磷气氛保护下对薄膜进行了高温(520℃)退火处理,以消除复合薄膜中残存的In和In2O3,得到了纯净的InP/SiO2纳米颗粒膜样品.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明薄膜中InP和SiO2的化学组分基本上保持理想化学计量配比;X射线衍射和激光拉曼光谱实验结果都证实了薄膜中InP纳米晶粒的存在;线性吸收光谱实验观察到了室温下纳米颗粒膜光学吸收边明显的蓝移现象.采用单光束脉冲激光Z扫描方法测量了InP/SiO2纳米颗粒膜的非线性光学性质.测量结果表明,我们所制备的InP/SiO2纳米颗粒膜的三阶光学非线性折射率系数达10-8 cm2/W量级,比InP晶体块材的相应值大4个数量级.(OB3) | 丁瑞钦 王浩 王宁娟 佘卫龙 丘志仁 罗莉 S.P.Wong | 2001 | 激光与光电子学进展2001，38，9： | 0 |
| 8 | 蒸发-气体-聚集制备的Co-Ag颗粒膜微观结构与巨磁电阻特性显示文摘基于溅射-气体-聚集(SGA)形成纳米金属颗粒的原理,提出了蒸发-气体-聚集(EGA)共沉积制备CO-Ag颗粒膜的新方法,并利用该方法制备了系列Co-Ag颗粒膜样品.TEM/ED分析表明,制备态样品中CO颗粒被Ag原子所包裹,能有效地阻止颗粒的表面氧化与团聚;#膜无需经过热处理即可形成Co与Ag的相分离,其结构为fcc—Co和fcc-Ag非均匀相多晶共存形态;与Co大块材料相比,薄膜中Co颗粒晶格常数随颗粒大小变化而呈现出不同程度的收缩效应,当颗粒平均直径为8nm时,其晶格收缩量为7%.磁电阻测量结果表明,薄膜在室温下呈现出较大的巨磁电阻效应;随着薄膜中Co颗粒尺寸的减小,其巨磁电阻效应增强. | 王浩 S.P.Wong | 1999 | 金属学报1999，35，6： | 0 |
您所在的机构暂未开通此部分的功能，请联系管理员