| 10 | Low-temperature quantum transport in CVD-grown single crystal graphene显示文摘化学蒸汽免职(CVD ) 典型地为实际应用为大规模 graphene 合成被使用。然而, CVD graphene 的劣等的电子性质是要解决的关键问题之一。因此,我们在场高质量的单个水晶的单层 graphene 的电子性质上的详细研究。graphene 经由铜上的 CVD 是成年的,由使用一个冷墙的反应堆,然后转到 Si/SiO 2 。我们的低温度的磁电机运输数据证明单个水晶的 CVD graphene 样品的特征比多晶的 graphene 的那些优异并且有比得上 Si/SiO 2 上的 exfoliated graphene 的质量。在我们的最好的样品的迪拉克点发生在比 10 V,和 11,000 厘米 2/(V 功能 of-5.4 eV 的最大的活动性低的背门电压,作为搬运洞的层。它的力量变换效率达到了螼?螼 的价值吗?? | Shaohua Xiang Vaidotas Miseikis Luca Planat Stefano Guiducci Stefano Roddaro Camilla Coletti Fabio Beltram Stefan Heun | 2016 | Nano Research2016，9，6： | 0 |
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