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| 1 | 纳米压印光刻技术——下一代批量生产的光刻技术(英文)显示文摘纳米压印光刻技术已被证实是纳米尺寸大面积结构复制的最有前途的下一代技术之一。这种速度快、成本低的方法成为生物化学、μ级流化学、μ-TAS和通信器件制造以及纳米尺寸范围内广泛应用的一种日渐重要的方法,如生物医学、纳米流体学、纳米光学应用、数据存储等领域。由于标准光刻系统的波长限制、巨大的开发工作量、以及高昂的工艺和设备成本,纳米压印光刻技术可能成为主流IC产业中一种真正富有竞争性方法。对细小到亚10nm范围内的极小复制结构,纳米压印技术没有物理极限。从几种纳米压印光刻技术中选择两种前景广阔的方法——热压印光刻(HEL)和紫外压印光刻(UV-NIL)技术给予介绍。两种技术对各种各样的材料以及全部作图的衬底大批量生产提供了快速印制。重点介绍了HEL和UV-NIL两种技术的结果。全片压印尺寸达200mm直径,图形分辨力高,拓展到纳米尺寸范围。 | R.Pelzer P.Lindner T.Glinsner B.Vratzov C.Gourgon S.Landis P.Kettner C.Schaefer | 2004 | 电子工业专用设备2004，33，7： | 2 |
| 2 | 圆片级封装的新颖对准技术显示文摘对于3D互连、圆片级封装(WLP)和先进的MEMS器件的圆片键合,精密对准是一项关键技术,不同的MEMS,常常包含双面加工处理,而IC和CMOS制造业则只利用单面加工处理步骤,因此,圆片到圆片的对准必须使用设置在键合界面(也就是面对面)中的对准标记。论述了面对面对准方法的主要步骤,最新结果报导,用一种特殊开发的对准系统获得了≤1μm的对准精度。设备主要是为圆片对圆片的对准和键合而设计。 | C.Brubaker T.Glinsner P.Lindner M.Tischler 高仰月(译) | 2006 | 电子工业专用设备2006，35，7： | 0 |
| 3 | 半导体硅片键合:MEMS制造工序中的成熟技术(英文)显示文摘新型MEMS应用领域的发展为现有的制造技术带来了很大的挑战,并促使了满足新加工要求的制造能力的发展。根据目前MEMS制造中普遍采用的不同的晶圆键合方法及其主要工艺参数要求,开发了一种新型的晶圆键合技术。 | V.Dragoi P.Lindner H.Kirchberger P.Kettner | 2007 | 电子工业专用设备2007，36，1： | 0 |
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