3篇
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| 1 | 脉冲激光沉积中高能量密度激光密度对Cu_2Se热电薄膜成分与性能的影响显示文摘本工作提出了脉冲激光沉积法生长Cu2Se热电材料薄膜中维持较高的激光切削能量密度对于实现薄膜与靶材成分等比例传输的重要性。使用较高的脉冲激光能量生长的Cu2Se薄膜具有纯的?-相,并具有与靶材相近的化学组分。这主要是因为较高的激光能量可以更加有效地引起等离子体对激光-固体直接作用的屏蔽,这可以使得靶材中的铜和硒元素的激光切削量更加接近靶材的化学计量比。由于硒具有较高的蒸汽压,降低激光能量会加强激光与固体的直接作用,从而更有效地切削硒元素,导致所沉积薄膜中产生铜缺陷。进一步讨论了所使用的氩气背景气体压力对于所生长的Cu2Se薄膜热电性能的影响。当使用高激光能量低背景气体压力时,所生长的薄膜具有最佳的热电性能。 | 吕艳红 陈吉堃 DoBELI Max 李宇龙 史迅 陈立东 | 2015 | 无机材料学报2015，30，10： | 4 |
| 2 | 低能电子在外层导电屏蔽的玻璃锥管中的传输显示文摘采用新的具有常数锥角的玻璃锥管,并对玻璃锥管进行了外表面导电屏蔽,通过对电子穿越玻璃锥管的二维角分布随时间演化的观测,研究了低能电子与玻璃管相互作用的机制.发现电子穿越完全放电的玻璃锥管时穿透率先下降后平稳,整个过程中角分布中心发生微小移动,但角分布的半高宽几乎保持不变.这与我们之前发表的工作(2016 Acta Phys.Sin.65 204103)不同,这是由于对玻璃锥管进行外表面导电屏蔽会阻止外界不确定的快速充放电的影响,并形成了新的稳定放电通道,有利于实现电子的稳定穿透.电子的穿透率随倾角呈类似矩形的分布,透射电子的角分布中心伴随倾角的变化而移动,其穿透所容许的倾角与几何穿透一致. | 钱立冰 李鹏飞 靳博 靳定坤 宋光银 张琦 魏龙 牛犇 万成亮 周春林 Arnold Milenko Müller Max Dobeli 宋张勇 杨治虎 Reinhold Schuch 张红强 陈熙萌 | 2017 | 物理学报2017，66，12： | 3 |
| 3 | 氩气生长压力对脉冲激光沉积亚铜基硫族化合物薄膜组分的调控(英文)显示文摘本文阐述了在利用脉冲激光沉积法生长亚铜基硫族化合物薄膜过程中,所使用的氩气背景气体压力与薄膜化学组分的关系.当氩气压力在~10-2 mbar时,薄膜材料中原子量较轻的成分缺失更为严重.与之相比,当利用准真空或~10-1 mbar时薄膜材料化学组分与所用靶材组分更为接近.以硒化亚铜为例,研究结果显示所生长薄膜材料的电输运性能与铜硒组分比例随压力的变化相一致.当生长条件为真空或准真空时,所生长的硒化亚铜薄膜具有致密的结构和最佳的化学组分,因而具有最优的热电性能. | 陈吉堃 吕艳红 Max Dobeli 李宇龙 史迅 陈立东 | 2015 | Science China Materials2015，0，4： | 1 |
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