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| 1 | CuInTe2-xSx(x=0,0.05,0.1,0.15)固溶体的热电性能显示文摘类金刚石结构化合物CuInTe_2作为一种新型的热电材料引起了广泛关注。CuInTe_2在中低温度段热导偏大,限制了其热电性能的提高。本研究合成了CuInTe_(2-x)S_x(x=0,0.05,0.1,0.15)固溶体,XRD和SEM-EDS结果表明所得固溶体均为元素分布均匀的单一物相。同时还发现S和Te元素的固溶有效地引入了点缺陷散射,降低了晶格热导率。通过Callaway模型模拟实验数据发现应力场涨落引起的声子散射是其晶格热导率降低的主要原因,但Te位固溶S引起了电输运性能的降低,若能采用掺杂等方式改善电性能,则其热电性能有望得到进一步优化。 | 覃玉婷 仇鹏飞 史迅 陈立东 | 2017 | 无机材料学报2017，32，11： | 3 |
| 2 | 碲纳米线柔性薄膜的制备及其热电性能显示文摘柔性热电器件能够直接将人体热量转化为电能,因而受到广泛的关注。本研究采用水热法合成了碲纳米线,探究了水热温度和反应溶液的还原性强弱(添加抗坏血酸与否)对碲纳米线形貌及热电性能的影响。与强还原性反应液(添加抗坏血酸)中制备的碲纳米线相比,弱还原性反应液(未添加抗坏血酸)中制备的碲纳米线具有较高的长径比,最高可达200,其组装的薄膜具有更高的电导率,达到26 S·m^–1。进一步研究了成膜工艺对碲纳米线薄膜热电性能的影响,发现湿压法可提升薄膜的微观致密度,使薄膜中碲纳米线之间的微观连接更为紧密,从而改善了薄膜的载流子迁移率和载流子浓度,使薄膜的电导率提升了18.3倍,达到476 S·m^–1,塞贝克系数为282.9μV·K^–1,功率因子达到38μW·m^–1·K^–2。 | 徐海丰 侯成义 张青红 李耀刚 王宏志 | 2020 | 无机材料学报2020，35，9： | 3 |
| 3 | 掺Ag的β-Cu_(2)Se薄膜的溅射沉积及热电性能显示文摘目的研究Ag掺杂对Cu_(2)Se薄膜物相组成以及热电性能的影响。方法使用粉末烧结的Cu_(2)Se合金靶和高真空磁控溅射设备制备掺Ag的Cu_(2)Se热电薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及能谱仪(EDS)研究沉积薄膜的物相组成、表面和截面形貌、元素的含量和分布。通过Seebeck系数/电阻分析系统LSR-3测量薄膜的电阻率及Seebeck系数,从而研究不同掺Ag量的Cu_(2)Se薄膜的热电性能。结果使用磁控溅射技术,利用α-Cu_(2)Se合金靶,可制备出以β-Cu_(2)Se相为主,含极少量α-Cu_(2)Se相的Cu-Se薄膜。薄膜中掺杂的Ag不进入β-Cu_(2)Se相的点阵中,而是在薄膜中形成纳米尺寸的CuAgSe第二相。沉积薄膜的β-Cu_(2)Se相点阵中富含Cu,在Ag含量由0增加到2.97%(原子数分数)的变化过程中,其β-Cu_(2)Se相点阵中[Cu]/[Se]比率大于理想比率2.0,由3.59变化到4.96。β-Cu_(2)Se相点阵中富含Cu,使得沉积的β-Cu_(2)Se薄膜的电阻率低于文献中块体材料。随Ag含量的增加,β-Cu_(2)Se薄膜的电阻率先降低、后升高;对于Seebeck系数,电阻率大的薄膜,其Seebeck系数也大。Ag原子数分数为1.37%的样品,因掺杂后Seebeck系数显著提高,其功率因子最大。结论使用磁控溅射技术制备的富Cu的β-Cu_(2)Se薄膜,具有低电阻率的优点。掺杂适量的Ag,能够显著提高薄膜的Seebeck系数,从而获得较高的功率因子。 | 李贵鹏 宋贵宏 王楠 李秀宇 胡方 | 2021 | 表面技术2021，50，8： | 1 |
| 4 | 氧化物热电材料的研究进展显示文摘目前,能源匮乏和环境污染问题愈趋严重,因而对新型清洁能源的需求越来越大。利用热电材料及器件可以将地热、工厂废热等能量以一定的效率直接转换成电能,有利于提高能源使用效率,达到节能减排和保护环境的目的。本文从氧化物热电材料的制备、分类及应用发展等方面论述了氧化物热电材料的研究现状。 | 贺进 解勤兴 | 2018 | 化工管理2018，，19： | 0 |
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