| 3 | 额定电流超过2000A的下一代3300V BIGT HiPak模块显示文摘本文闸述一种被称作双模式绝缘栅晶体管(Bimode Insulated Gate Transistor,缩写为BIGT)的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进展。介绍了一种采用BIGT技术制造的额定电流超过2000A的3300VHiPak模块,给出了静态、动态特性的测试结果以及棚关参数,这反映出采用新技术后器件的基本性能将要达到的水平。本文还涉及器件的安全工作区、软度、可靠性等其他方面的性能,测试时的结温最高达到150℃。此外,首次给出丁在硬开关频率条件下的BIGT的性能。 | A.Kopta M Rahimo R.Schnell M.Bayer U.Schlapbach J.Vobecky | 2010 | 电力电子2010，，4： | 1 |
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