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19篇 您的检索式：作者名="M D Bremser"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Dislocation density reduction via lateral epitaxy in selectively grown GaN structures显示文摘	Zheleva T S Nam O Bremser M D	1997	Appl Phys Lett1997，71，：	1
	2	Synthesis and size control of polystyrene lattices via polymerization in microemulsion显示文摘	Antonietti M Bremser M Muschenborn D	1991	marcromolecules1991，24，25：	1
	3	Dislocation density reduetior via lateral expitaxy in selectively grow GaN structures显示文摘	ZHELEVA T S NAM O H BREMSER M D	1997	Appl Phys Lett1997，71，：	1
	4	Synthesis and Size Control of Polystyrene Latices via Polymerization in Microemulsion 显示文摘	Antonietti M Bremser W Mschenborn D	1991	Macromolecules1991，24，25：	1
	5	Trends in Residual Stress for GaN/AIN/6H-S1C Heterostructures 显示文摘	Edwards N V Bremser M D Davis R F	1998	Applied Physics Letters1998，73，19：	1
	6	Dis- location density reduction via lateral epitaxy in selectively grown GaN structures 显示文摘	ZHELEVA T S NAM O BREMSER M D	1997	Applied Physics Letters1997，71，17：	1
	7	Disloca-tion Density Reduction Via Lateral Epitaxy in SelectivelyGrown GaN Structures 显示文摘	ZHELEVA T S NAM 0 H BREMSER M D	1997	Applied Physics Letters1997，71，17：	1
	8	Lateral epitaxy of low defect density GaN layers via organometallic vapor phase epitaxy 显示文摘	NAM O H BREMSER M D ZHELEVA T S	1997	Appl Phys Lett1997，71，18：	1
	9	GaN thin films deposited via organometallic vapor phase epitaxy on alpha (6H)-SIC (0001) using high- temperature monocrystalline A1N buffer Layers 显示文摘	WEEKS W BREMSER T AILEY M D	1995	Appl Phys Lett1995，67，3：	1
	10	显示文摘	O H Bremser M D Zheleva T S	1997	Appl Phys Lett1997，71，：	1
	11	Synthesis and Size Control of Polystyrene Lattices via Polymerization in Microemulsion显示文摘	Antonietti M Bremser W Muschenborn D	1991	Macromolecules1991，24，25：	1
	12	GaN grown on two-step cleaned C-terminated 6H-SiC by molecular-beam epitaxy显示文摘	Davis R F Weeks T W Bremser M D	1996	Mater Res Soc Symp Proc1996，395，：	1
	13	Raman analysis of the configuration disorder in AlxGa1-xN film显示文摘	BERGMAN L BREMSER M D PERRY W G	1997	Appl Phys Lett1997，71，：	1
	14	Cleaning of A1N and GaN Surfaces显示文摘	King S W Barnak J P Bremser M D	1998	Journal of Applied Physics1998，84，9：	1
	15	Correlation of biaxial strains, bound exciton energies, and defect microstructures in GaN films grown on AlN/6H- SIC(0001) substrates显示文摘	Willian G Perry T Zheleva M D Bremser	1997	Journal of Electronics Material1997，36，：	1
	16	Lateral epitaxy of low defect density GaN layers via organometallic vapor phase epitaxy显示文摘	N am O H Bremser M D Zheleva T S	1997	Appl Phys Lett1997，71，18：	1
	17	Trends in residual stress for GaN/AlN/6H - SiC heterostructures显示文摘	N V Edwards M D Bremser R F Davis	1998	Appl Phys Lett1998，73，：	1
	18	Trends in residual stress for GaN/A1N/6H - SiC heterostructures 显示文摘	Edwards N V Bremser M D Davis R F	1998	Applied physics letters1998，73，19：	1
	19	Thin films of aluminum nitride and aluminum galliumnitride for cold cathode applications 显示文摘	Sowers A T Christman J A Bremser M D	2001	Appl PhysLett2001，71，16：	1

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