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19205篇 您的检索式：期刊名="Appl Phys Lett"

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	题名	作者	年代	出处	被引量
1	显示文摘	Forsythe E W Morton D C Tang C W	1998	Appl Phys Lett1998，73，：	3
2	显示文摘	Cooke D W Bennett B L Farnum E H	1997	Appl Phys Lett1997，70，：	2
3	Enhanced band-gap blueshift due to grow Ⅴ intermixing in InGaAsP multiple quantum well laser structures induced by low temperature grown InP显示文摘	Lee A S W Mackenjie M Thompson D A	2001	Appl Phys Lett2001，78，21：	2
4	Transparent conducting aluminum- doped zinc oxide thin films for organic light- emitting devices 显示文摘	Kim H Gilmore C M Horwitz J S	2000	Appl Phys Lett2000，76，3：	2
5	Superhard nanocrystalline composite materials:the TiN/Si3N4 system显示文摘	VepArˇXek S Reiprich S Li Shizhi	1995	Appl Phys Lett1995，66，：	2
6	显示文摘	Chahara K Ohno T Kasai M	1993	Appl Phys Lett1993，63，：	2
7	Giant magneto-resistance in melt spun Cu-Co alloys显示文摘	Weeker	1993	Appl Phys Lett1993，52，16：	2
8	Relativistic space-charge flow in a magnetic field显示文摘	Bergeron K D Poukey J W	1975	Appl Phys Lett1975，27，2：	2
9	显示文摘	Ju H Y Kwon C Li Q	1995	Appl Phys Rev Lett1995，75，：	2
10	Observations of the RT instability in laser imploded microballoons显示文摘	Wark J S Kilkeany J D Cole A J	1986	Appl Phys Lett1986，48，15：	2
11	AlGaN/GaN metal- oxide- semiconductor heterostructure field- effect transis- tors on SiC substrates显示文摘	Khan M A Hu X Simin G	2000	Appl Phys Lett2000，77，：	2
12	Electron emission from boron nitride coated Si field emitters 显示文摘	Sogino T Kawasaki S Tanioka K	1997	Appl Phys Lett1997，71，：	2
13	Laser-induced bulk damage in potassium dihydrogen phosphate crystal显示文摘	SINGLETON M F COOPER J F ANDRESEN B D	1988	Appl Phys Lett1988，52，14：	2
14	显示文摘	Copel M Gribelyuk M Gusev E	2000	Appl Phys Lett2000，76，4：	2
15	High performance InP/InGaAs heterostructure bipolar transistors grown by metalorganic vapor phase epitaxy显示文摘	Nottenburg R N Chen Y K Tanbun- Ek T	1989	Appl Phys Lett1989，55，：	2
16	Giant magnetoresistance in La1-xSrxMnOz films near room temperature显示文摘	Ju H L Kwon C Qi Li	1994	Appl Phys Lett1994，65，：	2
17	Organic electroluminescent diodes显示文摘	Tang C W Vanslyk S A	1987	Appl Phys Lett1987，15，：	2
18	Silicon nanowires prepared by laser ablation at high temperature显示文摘	Zhang Y F Tang Y H Wang N	1998	Appl Phys Lett1998，72，15：	2
19	Large remnant polarization of vanadium-doped Bi4 Ti3 O12 显示文摘	NOGUCHI Y MIYAYAMA M	2001	Appl Phys Lett2001，78，13：	2
20	Chemical vapor deposition of Si nanowires nucleated by TiSi2 islands on Si显示文摘	Kamins T I Stanley Williams R Chang Y L	2000	Appl Phys Lett2000，76，5：	2

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