1篇
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| 1 | HgTe量子阱中的量子自旋霍尔绝缘态显示文摘近来,理论研究预言量子霍尔效应,在外加磁场为0的情况下物质出现的一种全新的量子态可以在HgTe/(Hg,Cd)Te量子阱中实现。我们制造了低密度高迁移率的样品结构,在样品中我们可以通过外加栅极电压调节载流子从n型穿过绝缘区到p型。对于宽度d<6.3nm的薄量子阱,绝缘区在低温下具有常规的难以察觉的微小电导。然而,对于厚的量子阱(d>6.3nm),在绝缘层中也出现接近2e2/h的剩余电导,其中e是电子电荷,h是Planck常数.剩余电导与样品宽度无关,证明这是由边缘态引起的.此外剩余电导可以被微小的外加磁场所破坏.在临界厚度d=6.3nm处发生的量子相变也与磁场诱发的绝缘-金属转变互相独立.这些观察结果为量子自旋霍尔效应提供了实验证据。 | Markus Konig Steffen Wiedmann Christoph Brüne Andreas Roth Hartmut Buhmann Laurens W.Molenkamp 黄光耀 赵安 | 2007 | 中山大学研究生学刊(自然科学与医学版)2007，28，4： | 1 |
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