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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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11篇 您的检索式：作者名="Grudowski"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1显示文摘Grudowski P A Holmes A L Eiting C 1996Appl Phys Lett1996，69，：1
2Comprehensive characterization of metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors fabricated on single-crystal GaN显示文摘Carrano J C Li T Grudowski P A 1998Journal of applied physics1998，83，：1
3Improved detection of the invisible 显示文摘Carrano J C Li T Grudowski P A 1999IEEE Circuits and Devices Magazine1999，15，5：1
4Comprehensive characterization of metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors fabricated on single-crystal GaN 显示文摘J C Carrano T Li P A Grudowski 1998Journal of Applied Physics1998，83，11：1
5查看详情显示文摘Li T Carrano J C Eiting C J Grudowski P A Lambert D J H Kwon H K Dupuis R D Campbell J C Tober R T 0，，：1
6Comprehensive characterization of metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors fabricated on single-crystal GaN显示文摘Carrano J C Li T Grudowski P A 1998J Appl Phys1998，83，11：1
7Very low dark current MSM ultraviolet photodetectors fabricated on single crystal GaN epitaxial layers显示文摘CARRANO J C GRUDOWSKI P A EITING C J 1997Appl Phys Lett1997，70，15：1
8High quantum efficiency metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors favricated on single crystal GaN epitaxial layers显示文摘CARRANO J C LI T GRUDOWSKI P A 1997Electron Lett1997，33，23：1
9Growth of low resistivity p-type GaN by metal organic chemical vapour deposition 显示文摘Eiting C J Grudowski P A and Dupuis R D 1997Electron Lett1997，33，：1
101-D and 2-D Geometry Effects in Uniaxially-Strained Dual Etch Stop Layer Stressor Integrations 显示文摘Grudowski P Adams V Xiang-Zheng Bo 2006VLS12006，，：1
11Current tran-sport mechanisms in GaN-base metal-semiconductor-metal photodetectors显示文摘Carrano J C Li T Grudowski P A 1998Appl Phys Lett1998，72，5：1
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