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9篇 您的检索式：作者名="Goorsky"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Chemical Mechanical Polishing of CaN显示文摘	Hayashi S Koga T Goorsky M S	2008	J Electrochem Soc2008，155，2：	1
	2	Synthesis of Si1-yGey alloys by molecular beam epitaxy 显示文摘	Iyer S S Eberl K Goorsky M S	1992	Appl Phys Lett1992，60，3：	1
	3	Lattice tilt and relaxation in InGaP/GaAs/Ge solar cell on miscut substrates显示文摘	Hess R R Moore C D Goorsky M S	1999	J Phy D:Appl Phys1999，32，：	1
	4	Reduction of the potential energy barrier and resistance at waferbonded n-GaAs/n-GaAs interface by sulfur passivation显示文摘	JACKSON M J JACKSON B L GOORSKY M S	2011	Journal of Applied Physics2011，110，10：	1
	5	查看详情显示文摘	Matney K Goorsky M S		0，，：	1
	6	Investigation of the effects of polishing and etching on the quality of Cd1?xZnxTe using spatial mapping techniques显示文摘	H. Yoon J. M. Scyoc M. S. Goorsky H. Hermon M. Schieber J. C. Lund R. B. James	1997	Journal of Electronic Materials1997，，6：	1
	7	The role of the low temperature buffer layer and layer thickness in the optimization of OMVPE growth of GaN on sapphire显示文摘	S. D. Hersee J. Ramer K. Zheng C. Kranenberg K. Malloy M. Banas M. Goorsky	1995	Journal of Electronic Materials1995，，11：	1
	8	Influence of the Degreeof Order of InGaP on Its Hardness Determined Using NanoinDentation显示文摘	Zakaria A Fetzer C M Goorsky M S	2010	Journal of Applied Physics2010，108，07：	1
	9	Study of the initial stage of electroless Ni deposition on Si(100)substrates in aqueous alkaline solution显示文摘	Zhang X Ren F Goorsky M S	2006	Slurface and Coating Technolo-gy2006，201，：	1

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