4篇
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| 1 | GaN Power ICs Revolutionize High-density, High-efficiency, Cost-effective Power Conversion显示文摘40 years ago, there was a revolution in power converter efficiency, density, size and cost, with the introduction of silicon MOSFETs,PWM integrated circuits(ICs),new magnetic materials and new switch-mode power topologies.Now,another revolution is enabled with wide band-gap gallium nitride(GaN) power ICs,new control ICs,new magnetics and the commercialization of high-frequency topologies.Monolithic integration combines GaN FET,GaN logic,GaN driver and now GaN level-shifters,to enable MHz+switching without parasitic concerns.This paper introduces the AllGaN^(TM) 650 V lateral GaN technology, essential GaN power ICs features and performance across a wide range of applications, at up to 1 MHz,from 25 W to 3.2 kW. | KINZER Dan | 2017 | 电力电子技术2017，51，8： | 0 |
| 2 | 迎接太阳光伏能源的崭新黎明显示文摘近些年来,在世界范围内的政治和经济领域中,人们对可再生能源态度的关注日益增加。虽然在去年全球经济危机中,很多可再生能源项目被削减,但是太阳能设备未来几年的安装增长率预计可能在30%~40%之间(如图1所示)。 | Dan Kinzer | 2010 | 今日电子2010，，2： | 0 |
| 3 | 集成肖特基二极管的沟槽功率HOSFET和DC-DC转换器的性能优势显示文摘发展单片集成MOSFET和肖特基二极管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件,这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时,它可以降低超过29% 的反向恢复电荷,和降低24%的正向电压降。在1MHZ,集成单片FET做同步整流,其电路效率提高 1.1%。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。 | Donald He Jason Zhang Ritu Sodhi Dan Kinzer Stuart Edwards Paul Harvey | 2005 | 电力电子2005，3，6： | 0 |
| 4 | 何时迎来宽能带隙时代?显示文摘对于功率电子而言,宽能带隙材料能够以相同甚至更低的成本,显著改善效率、尺寸及重量等指标。简单地说,宽能带隙器件具有优胜10倍的导通和开关性能,这种性能提升对于风能和太阳能、混合动力以及电动车辆的普及是至关重要的。即便功率电子绝对成本在不断降低,其成本仍然是这类系统成本中不断增加的部分。 | Dan Kinzer | 2012 | 世界电子元器件2012，，1： | 0 |
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