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12篇 您的检索式：期刊名="JOUR-NAL OF PHYSICS D - APPLIED PHYSICS"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Electron transport in strained Si inversion layers grown on SiGe-on-insulator substrates显示文摘	F Gámiz P Cartujo-Cassinello J B Roldán	2002	Jour nal of Applied Physics2002，92，7：	1
	2	Dielectric breakdown properties of SFG- N2 mixtures in the temperature range 300:3 000 K显示文摘	Li X Zhao H Jia S	2012	Jour nal of Physics D: Applied Physics2012，45，44：	1
	3	Experimental investigations of the anode boundary layer in high intensity arcs with cross flow显示文摘	Yang G Pfender E	2006	Jour nal of Physics D: Applied Physics2006，39，13：	1
	4	Anode-boundary- layer behaviour in a transferred, high-intensity arc 显示文摘	Amakawa T Jenista J Heberlein J	1998	Jour nal of Physics D: Applied Physics1998，31，20：	1
	5	Electron transport in nano- crystalline Si based single electron transistors 显示文摘	DUTTA A ODA S FU Y	2000	Japanese Jour nal of Applied Physics2000，39，1：	1
	6	Recombination and detachment in oxygen discharges: the role of metastable oxygen molecules 显示文摘	Gudmundsson J T	2004	Jour nal of Physics D: Applied Physics2004，37，15：	1
	7	Charge injection and polarization fatigue in ferroelectric thin films显示文摘	Jiang Anquan Lin Yinyin Tang Tingao	2007	Jour nal of Applied Physics2007，102，07：	1
	8	Quantitative analy?sis of domain texture in polycrystalline barium titanate by polarized Raman microprobe spectroscopy显示文摘	Sakashita T Chazono H Pezzotti G	2007	Jour?nal of Applied Physics2007，102，12：	1
	9	Electrically switchable spatial filter based on polymer-dispersed liquid crystal film 显示文摘	FUH Y G LIN T H	2004	Jour?nal of Applied Physics2004，96，0：	1
	10	A non-stationary model for high power impulse magnetron sputtering discharges 显示文摘	Kozak T Pajdarova A D	2011	Jour hal of Applied Physics2011，110，10：	1
	11	RamanScat tering Study on Anatase TiO2 Nanocrystals 显示文摘	ZhangWF He YL ZhangMS etal	2000	Jour nal of Physics D: Applied Physics2000，33，：	1
	12	A constitutive model for metals applicable at highstrain rate显示文摘	Steinberg D J Cochran S G Guinan M W	1980	Jour nal of Applied Physics1980，51，3：	1

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