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| 1 | 半导体纳米线——宏观牛顿世界与微观量子世界的理想桥梁显示文摘本文以我们的研究团队自1995年以来在半导体纳米线材料与物理研究中所做的科研工作为主线,从如何自下而上地规模、可控制备硅等半导体纳米线的开创性研究工作开始,着重介绍半导体纳米线独一无二的物理性质的代表性研究工作,以及它们在高品质真空电子源、新型高效光电器件、新能源器件方面的潜在应用的研究成果.最后,对半导体纳米线的未来发展前景进行了展望. | 冯孙齐 俞大鹏 赵清 廖志敏 | 2013 | 中国科学:物理学、力学、天文学2013，43，11： | 1 |
| 2 | Strain-induced spatially indirect exciton recombination in zinc-blende/wurtzite CdS heterostructures显示文摘Strain engineering provides an effective mean of tuning the fundamental properties of semiconductors for electric and optoelectronic applications. Here we report on how the applied strain changes the emission properties of hetero- structures consisting of different crystalline phases in the same CdS nanobelts. The strained portion was found to produce an additional emission peak on the low-energy side that was blueshifted with increasing strain. Furthermore, the additional emission peak obeyed the Varshni equation with temperature and exhibited the band-filling effect at high excitation power. This new emission peak may be attributed to spatially indirect exciton recombination between different crystalline phases of CdS. First-principles calculations were performed based on the spatially indirect exciton recombination, and the calculated and experimental results agreed with one another. Strain proved to be capable of enhancing the anti-Stokes emission, suggesting that the efficiency of laser cooling may be improved by strain engineering. | Dehui Li Yang Liu Maria de la Mata Cesar Magen Jordi Arbiol Yuanping Feng Qihua Xiong | 2015 | Nano Research2015，8，9： | 1 |
| 3 | Impact of insulator layer thickness on the performance of metal-MgO-ZnO tunneling diodes显示文摘metal-insulator-semiconductor (MIS ) 的表演类型通道二极管基于 ZnO, nanostructures 通过当模特儿被调查。在这个工作使用的框架是 Schr ? 有有效团的近似的 dinger 方程。MIS 类型通道二极管的工作机制被检验电子密度,电场,静电的潜力,和设备的传导乐队边调查。我们证明在静电的潜力的一条山谷在 ZnO/MgO 接口被形成,它在这个接口的 ZnO 方面导致一个精力障碍。因此,电子需要克服二个障碍:从在 ZnO 导致的弄空区域的高、狭窄的 MgO 障碍,和障碍 ZnO/MgO 接口站在一起。当 MgO 层变得更厚,在静电的潜力的山谷变得更深。同时,在 ZnO/MgO 接口导致的障碍变得更高、更宽。这在通过 MIS 二极管的电流导致快减少。我们优化绝缘的 MgO 的厚度层,在一部 ZnO 电影之间夹了(在这个工作,我们使用单个 ZnO nanowire ) 并且金属接触,完成二极管的最大的性能,以校正比率。1.5 nm 的最佳的 MgO 层厚度被发现产出最高的校正比率,乘一根常规 metal-semiconductor-metal Schottky 二极管的的约 169。这些模仿的结果能在 ZnO nanodevices 的设计和优化是有用的,例如射出二极管和紫外光电探测器的光。 | Yousong Gu Max A. Migliorato Yue Zhang | 2016 | Nano Research2016，9，5： | 0 |
| 4 | Unravelling a solution-based formation of single- crystalline kinked wurtzite nanowires: The case of MnSe显示文摘为一篇小说的搜索在原子论的规模雕刻半导体 nanowires (NW ) 的策略为在光学,电子学,和 spintronics 的新范例的发展是关键的。因此远,单人赛水晶的 kinked 半导体 NW 的制造主要通过 vaporliquidsolid 生长技术被完成了。在这研究,我们为雕刻单人赛水晶的 kinked wurtzite (WZ ) 开发了新策略由触发 nonpolar 的 MnSe NW 轴面向的生长,从而沿着 nonpolar 的原子论的 scalethe NW 生长取向在一个灵巧的基于答案的过程削减的 switchingat。这在一个维的 WZ nanocrystals 的基于答案的合成由于主导的极的 c 轴生长提出实质的挑战。更显著地,连续地交换轴生长的取向允许我们精心制作类型的 kinking 风景的 nonpolar 的能力 150 ? 爠佇 ????????????? ????? 倠?? | Xinyi Yang Bo Zhou Chuang Liu Yongming Sui Guanjun Xiao Yingjin wei Xin Wang Bo Zou | 2017 | Nano Research2017，10，7： | 0 |
| 5 | Huge metastable axial strain in ultrathin heteroepitaxial vertically aligned nanowires显示文摘紧张工程是一个强大的工具定制协调地在取向附生的 heterostructure 叠的材料的物理性质。如此的一条途径,适用于平面 heteroepitaxy 的成熟领域,产出许多新现象和设备。最近, heteroepitaxial 垂直地排列了 nanocomposites 作为平面结构的选择出现了。由于如此的 nanoarchitectures 的古怪几何学,有效种类控制能被完成,打开到新奇功能的路。在这份报纸,我们在在一个氧化物矩阵嵌入的取向附生的转变金属 nanowires 报导一个很大的张力的轴的种类。我们证明超过 1.5% 罐头的轴的种类在有 ultrasmall 直径(36 nm ) 的取向附生的 nanowires 在大厚度(一些百纳米) 上被支撑。轴的种类取决于 nanowires 的直径,反映它的取向附生的性质和接口和有弹性的精力的平衡。而且,如此的种类是亚稳的,这试验性地被显示出,与在 Frenkel-Kontorova 模型的框架执行的计算一致。直径依赖和 metastability 提供有效方法控制种类,为功能的 nanoarchitectures 的设计的一个呼吁的特征。 | Vivien Schuler Francisco Javier Bonilia Dominique Demaille Alessandro Coati Alina Vlad Yves Garreau Michele Sauvage-Simkin Anastasiia Novikova Emiliano Fonda Sarah Hidki Victor Etgens Franck Vidal Yunlin Zheng | 2015 | Nano Research2015，8，6： | 0 |
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