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| 1 | 表面活性剂对纳米CeO_2在水介质中分散性能的影响显示文摘在对纳米CeO2粉体的Zeta电位进行测量的基础上,采用阴离子表面活性剂油酸和非离子型表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)对纳米CeO2粉体进行了分散实验,系统研究了超声分散时间、表面活性剂种类和浓度对纳米CeO2粉体在水相介质中分散稳定性能的影响。结果表明:随超声时间的延长,纳米CeO2粉体的分散稳定性出现先增后降的变化规律;分散剂种类和浓度不同,纳米CeO2的紫外吸收效果和可见光透光性也不同;对于每一种分散剂均存在最佳超声时间和最佳浓度。纳米CeO2粉体在水相介质中的最佳分散工艺为:超声时间10 min,浓度(质量分数)为2.0%的PVP。 | 孙玉利 左敦稳 王宏宇 朱永伟 李军 | 2011 | 南京航空航天大学学报2011，43，1： | 10 |
| 2 | 超精度石英玻璃的化学机械抛光显示文摘在工作压力为2 psi(1 psi=6 894.76 Pa)、抛光头转速为55 r/min、抛盘转速为60 r/min、流量为50 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.54 cm)的石英玻璃(99.99%)进行化学机械抛光(CMP)实验。分别研究了磨料质量分数(4%,8%,12%,16%,20%)、FA/OⅠ型螯合剂体积分数(1%,2%,3%,4%,5%)和FA/O型活性剂体积分数(1%,2%,3%,4%,5%)对石英玻璃化学机械抛光去除速率的影响。实验结果表明:随着磨料质量分数增加,石英玻璃去除速率明显提高,从11 nm/min提升到97.9 nm/min,同时表面粗糙度(Ra)逐渐降低,从2.950 nm降低到0.265 nm;FA/OⅠ型螯合剂通过化学作用对去除速率有一定的提高,Ra也有一定程度的减小,能够降低到0.215 nm;FA/O型活性剂的加入会导致去除速率有所降低,但是能够使Ra进一步降低至0.126 nm。最终在磨料、FA/OⅠ型螯合剂、FA/O型活性剂的协同作用下,石英玻璃去除速率达到93.4 nm/min,Ra达到0.126 nm,远小于目前行业水平的0.9 nm。 | 王仲杰 王胜利 王辰伟 张文倩 郑环 | 2017 | 微纳电子技术2017，54，1： | 9 |
| 3 | 磁性复合磨粒化学机械抛光技术及其加工试验研究显示文摘提出一种新型的磁性复合磨粒化学机械抛光技术。该技术利用磁性聚合物微球与SiO2磨粒组成的复合磨粒抛光液,在辅助磁场的作用下,实现了一种磨粒尺寸与硬质抛光盘微观形貌依赖性小、材料去除率较高的抛光工艺。建立直径8 mm、高度不等的稀土钕铁硼永磁体以点阵形式组合形成的4类辅助磁场。仿真计算表明,柱状下凹磁极的磁场磁力HdH/dz分布均匀,磁性微球受到的磁力一致性好。对磁性微球在抛光系统中的受力分析表明,磁性微球受到的磁力有助于复合磨粒从近抛光区域进入抛光区域,磁性复合磨粒能以二体磨损的方式划擦去除加工表面。以表面粗糙度Ra 0.5μm的硬质抛光盘进行硅片抛光试验,施加辅助磁场前后,硅片的材料去除率从66 nm/min提高到179 nm/min,硅片表面粗糙度由抛光前Ra 405.860 nm减小到Ra 0.490 nm。 | 许雪峰 郭权 黄亦申 胡建德 彭伟 | 2011 | 机械工程学报2011，47，21： | 6 |
| 4 | 表面改性CeO_2基抛光粉在水介质中的悬浮稳定性显示文摘CeO2基抛光粉在水介质中很容易沉淀,为提高CeO2料浆的抛光能力,氧化铈基抛光粉被表面改性。所用改性剂有六偏磷酸钠、十二烷基硫酸钠、十六烷基三甲基溴化铵、谷氨酸。用红外光谱分析仪、XRD、扫描电镜、激光粒度分析仪、Zeta电位、热重分析等对CeO2改性前后的物相组成、结构、颗粒大小、分散性、悬浮性和改性剂对CeO2的包裹率等进行表征,结果表明,阴离子改性剂十二烷基硫酸钠、阳离子改性剂十六烷基三甲基溴化铵和无机盐改性剂六偏磷酸钠能明显改善CeO2在水介质中的悬浮稳定性,两性离子改性剂谷氨酸对提高CeO2的悬浮稳定性的作用不明显;改性剂没有改变CeO2的物相组成和结构,仅粘附于CeO2的颗粒表面。CeO2悬浮液动力学试验表明,六偏磷酸钠对CeO2的黏附力最强,十六烷基三甲基溴化铵和十二烷基硫酸钠次之,氨基酸最弱。对玻璃材料的研磨试验结果表明,改性的CeO2颗粒(包裹体)有比较好的抛光效果,对玻璃材料去除率(MRR)的差异可能与改性剂的包裹率有关。在生产上,可以选用六偏磷酸钠作为CeO2基抛光粉的改性剂,且包裹率以不大于1.5%(质量分数)为宜。 | 刘振东 李运领 张海龙 | 2015 | 稀土2015，36，4： | 5 |
| 5 | 不同壳厚聚苯乙烯/氧化铈复合磨料的合成及其抛光特性显示文摘以表面带负电荷的聚苯乙烯(Polystyrene,PS)微球为内核,采用液相工艺合成不同壳厚的聚苯乙烯/氧化铈(PS/CeO2)核壳包覆结构复合磨料,并用透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜、激光拉曼(Raman)光谱仪、热重示差扫描量热仪和动态光散射仪等手段对样品进行表征。用原子力显微镜观察和测量抛光表面的微观形貌、轮廓及粗糙度,考察复合磨料壳厚对硅晶片热氧化层抛光性能的影响。结果表明,所制备的PS/CeO2复合磨料呈规则球形,粒径在200~250 nm,壳厚在10~30 nm。化学机械抛光结果显示,PS/CeO2复合磨料对硅晶片热氧化层表现出良好的抛光特性,且复合磨料壳厚对抛光表面粗糙度和材料去除率具有较大影响。经壳厚为20 nm的复合磨料抛光后晶片表面在5μm×5μm范围内粗糙度平均值和方均根值分别为0.196 nm和0.254 nm,材料去除率为568.2 nm/min。 | 陈杨 隆仁伟 陈志刚 陆锦霞 | 2011 | 机械工程学报2011，47，14： | 4 |
| 6 | 氧化铝抛光液磨料制备及其稳定性研究进展显示文摘介绍了氧化铝磨料在化学机械抛光中的应用,总结了氧化铝抛光液磨料制备方法。根据氧化铝抛光液在应用中存在的问题,着重阐述提高氧化铝抛光液分散性和稳定性的方法。在分析氧化铝抛光液应用的基础上,提出蓝宝石衬底抛光液将来的发展方向,希望为今后的氧化铝抛光液研究提供一些思路。 | 吴俊星 刘卫丽 谢华清 宋志棠 朱月琴 | 2015 | 上海第二工业大学学报2015，32，2： | 4 |
| 7 | 复合磨粒抛光技术研究现状与展望显示文摘复合磨粒抛光技术具有抛光速率高、面形精度好、表面缺陷少等优点,已成为当前的研究热点。综述了复合磨粒抛光技术中核壳型复合磨粒的制备方法、表征技术和作用机理的研究现状,指出了当前复合磨粒抛光技术存在的问题与不足,并对其发展方向进行了展望。 | 朱良健 滕霖 白满社 | 2014 | 材料导报2014，28，13： | 2 |
| 8 | 分散剂对超细CeO_2抛光液稳定性的影响显示文摘通过对超细CeO2抛光液中Zeta电位及黏度的测定,研究了溶液pH值、分散剂以及分散剂用量等因素对超细CeO2抛光液分散稳定性的影响。结果表明,固相质量分数8%的CeO2抛光液,pH值为4~5,选用非离子表面活性剂异丙醇胺作为分散稳定剂,加入质量分数为0.3%~0.4%时,抛光液Zeta电位较高,溶液黏度较低,抛光液分散稳定性较好。 | 刘玉林 | 2011 | 金刚石与磨料磨具工程2011，31，6： | 2 |
| 9 | 脉冲磁场辅助磁性复合磨粒化学机械抛光技术及其加工试验研究显示文摘提出一种脉冲磁场辅助新型磁性复合磨粒化学机械抛光技术。该技术利用磁性聚合物微球与SiO2磨粒组成的复合磨粒抛光液,在脉冲磁场辅助作用下,实现磨粒尺寸对硬质抛光盘微观形貌依赖性小、磨粒易进入抛光区域、材料去除率较高的抛光。设计了'之'字形的对位式结构电磁铁,模拟计算表明其磁感应强度沿抛光平面分布均匀,磁性微球受到的磁力一致性好。磁性微球在抛光系统中的受力分析表明:磁性微球受磁力作用时有利于复合磨粒从近抛光区进入抛光区,以二体磨损的方式去除加工表面;磁性微球不受磁力作用时,复合磨粒随抛光液的流动而移动,避免大量聚集形成磁链。以表面粗糙度Ra=1.1μm的硬质抛光盘进行硅片抛光试验,施加不同频率和占空比的脉冲磁场前后,硅片的去除率从137 nm/min提高到288 nm/min,频率5 Hz、占空比50%时获得最大值,硅片表面粗糙度由抛光前Ra=405 nm减小到Ra=0.641 nm。 | 黄亦申 赵彬善 黄水泉 游红武 许雪峰 | 2014 | 中国机械工程2014，25，9： | 1 |
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