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| 1 | 超声磁粒复合研磨对石英玻璃管内表面的光整研究显示文摘目的探究超声磁粒复合研磨对石英玻璃管内表面管研磨的可能性,分析有无辅助磁极及不同粒径的研磨粒子对内表面的影响。方法在石英玻璃管内表面添加辅助磁极并辅助超声磁粒复合研磨装置,加快磨粒的翻滚,提高抛光质量和效率。结果采用超声磁粒复合研磨装置,选用150、250、350μm三种粒径的研磨粒子分别进行研磨实验,研磨40 min后,150μm的研磨粒子表面粗糙度值从原始4.4μm下降到1.2μm,250μm的研磨粒子表面粗糙度值下降到0.2μm,350μm的研磨粒子表面粗糙度值下降到0.6μm。对比传统磁粒研磨装置与超声磁粒复合研磨装置,保持研磨粒子粒径为250μm,经40 min研磨,在传统磁粒研磨装置上未添加辅助磁极,石英玻璃管内表面粗糙度值从原始4.4μm下降到2.8μm;在传统磁粒研磨装置上添加辅助磁极,粗糙度值从原始4.4μm下降到1.1μm;在超声磁粒复合研磨装置上添加辅助磁极,粗糙度值从原始4.4μm下降到0.2μm。结论在石英玻璃管内表面添加辅助磁极后,表面粗糙度值得到下降。采用超声磁粒研磨装置使石英玻璃管内表面粗糙度值在原有基础上进一步下降,且选用粒径为250μm的研磨粒子最佳。加工后,工件内表面的加工均匀性显著提升,原始缺陷和原始波峰基本去除。 | 刘顺 韩冰 陈燕 许召宽 | 2018 | 表面技术2018，47，6： | 6 |
| 2 | 硒化镉晶片的化学机械抛光显示文摘硒化镉(CdSe)的表面加工质量对CdSe基器件的性能至关重要。化学机械抛光(CMP)是一种获得高质量晶体加工表面的常用方法。为改善CdSe晶片的表面加工质量,以SiO_2水溶胶配制抛光液,研究了抛光液磨料质量分数、抛光液pH值、氧化剂NaClO的质量分数、抛光盘转速和抛光时间等因素对CdSe晶片抛光去除速率和表面质量的影响,优化了CdSe的CMP工艺参数。结果表明,在优化工艺条件下,CdSe的平均去除速率为320 nm/min,晶片的抛光表面无明显划痕和塌边现象。原子力显微镜(AFM)测量结果表明,抛光后的CdSe晶片表面粗糙度为0.542 nm,可以满足器件制备要求。 | 高彦昭 杨瑞霞 张颖武 王健 徐世海 程红娟 | 2017 | 半导体技术2017，42，10： | 2 |
| 3 | 超声波精细雾化抛光石英玻璃的抛光液研制显示文摘为了配制适用于JGS1光学石英玻璃超声波精细雾化抛光的特种抛光液,以材料去除率和表面粗糙度为评价指标,设计正交试验探究抛光液中各组分含量对雾化抛光效果的影响,并对材料去除机制进行简要分析。结果表明:各因素对材料去除率的影响程度由大到小分别为SiO_(2)、pH值、络合剂、助溶剂和表面活性剂,对表面粗糙度影响程度的顺序为SiO2、表面活性剂、pH值、助溶剂和络合剂;当磨料SiO_(2)质量分数为19%,络合剂柠檬酸质量分数为1.4%,助溶剂碳酸胍质量分数为0.2%,表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮质量分数为0.9%,pH值为11时,雾化抛光效果最好,材料去除率为169.5 nm/min,表面粗糙度为0.73 nm;去除过程中石英玻璃在碱性环境下与抛光液发生化学反应,生成低于本体硬度的软质层,易于通过磨粒机械作用去除。使用该抛光液进行传统化学机械抛光和雾化化学机械抛光,比较两者的抛光效果。结果表明:两者抛光效果接近,但超声雾化方式抛光液用量少,仅为传统抛光方式的1/7。 | 苑晓策 李庆忠 杨思远 | 2021 | 润滑与密封2021，46，11： | 1 |
| 4 | 等离子抛光石英玻璃表面粗糙度研究显示文摘为了实现光学元件表面超光滑加工,避免传统机械加工方法造成的亚表面损伤,将射频等离子体加工应用于石英玻璃抛光加工。分析了通过调节离子束的能量、束流密度和入射角等工艺参数对抛光效果的影响。试验结果表明,随离子束能量的增加,试件的表面粗糙度RMS先减小后增大,当离子束能量为200~600 eV时试件表面粗糙度明显提高,为离子束抛光能量最佳范围。离子束流入射最佳角度范围为45°~60°,随着离子束抛光时间的增加,试样表面粗糙度先降低后增大。 | 郑才国 陈庆川 聂军伟 李民久 陈美艳 | 2020 | 实验室研究与探索2020，39，2： | 1 |
| 5 | 基于田口法的石英玻璃剪切增稠抛光工艺参数优化显示文摘目的研究石英玻璃剪切增稠抛光(STP)过程中,不同抛光参数对材料去除率及表面粗糙度的影响,提高石英玻璃表面质量,并优化工艺参数。方法基于田口法设计实验,以材料去除率、表面粗糙度为评价指标,分析抛光速度、磨粒浓度和抛光液p H值三个关键参数对石英玻璃STP抛光效果的影响。通过信噪比评估实验结果,采用方差分析(ANOVA)法计算各因素的权重,并得出最优工艺参数组合。结果抛光液p H值对Sa的影响最大(41.85%),其次是磨粒浓度(39.06%)和抛光速度(19.09%)。磨粒浓度对材料去除率(MRR)的影响最显著(63.78%),其次是抛光速度(28.81%)和抛光液p H值(7.41%)。在优选的抛光参数组合(抛光速度100 r/min,磨粒质量分数12%,抛光液p H=8)下,石英玻璃在抛光8 min后,表面粗糙度Sa从(110±10) nm降低到(1.2±0.3) nm,MRR达到165.2nm/min。结论在优化工艺参数下进行剪切增稠抛光,可有效去除石英玻璃表面划痕,提高石英玻璃表面质量。剪切增稠抛光可应用于石英玻璃平面及曲面抛光。 | 邵琦 邵蓝樱 吕冰海 赵萍 王金虎 袁巨龙 | 2021 | 表面技术2021，50，12： | 1 |
| 6 | 用于光学玻璃CMP的高效稀土抛光液研究显示文摘以纳米二氧化铈(CeO_(2))为磨料,使用球磨与不同化学试剂(如pH值调节剂乙酸、丙酸、植酸和分散剂离子型表面活性剂、非离子型表面活性剂)的协同分散方法制备纳米CeO_(2)抛光液,研究酸性体系下不同抛光液的分散性能与抛光性能。研究表明,球磨时以乙酸为pH值调节剂,调节溶液pH值为3,料球比为1∶4,球磨时间为6 h,球磨后纳米CeO_(2)悬浮液分散效果较好。采用制备的纳米CeO_(2)抛光液对石英玻璃进行抛光实验。结果表明:在磨料质量分数为1%、pH为4的条件下,石英玻璃的材料去除速率最高为409 nm/min,粗糙度仅为0.03 nm;阳离子、非离子型表面活性剂均有助于提升酸性体系下CeO_(2)悬浮液的分散稳定性,而加入非离子表面活性剂AEO-9(脂肪醇聚氧乙烯醚)效果最佳,其能够在提高分散稳定性的基础上改善石英玻璃的表面质量。 | 王也 张保国 吴鹏飞 谢孟晨 李烨 李浩然 | 2023 | 润滑与密封2023，48，5： | 0 |
| 7 | 石英晶片化学机械抛光工艺优化显示文摘为同时优化化学机械抛光(CMP)后石英晶片平面度和表面粗糙度,进行化学机械抛光协调控制实验。分析了抛光时间、抛光转速和抛光压力对石英晶片平面度和表面粗糙度的影响,确定了最佳工艺参数。研究结果表明:石英晶片平面度和表面粗糙度都随抛光时间延长而优化,在150 min时,平面度和表面粗糙度都能达到稳定。抛光时间为150 min、抛光盘转速为50 r/min、抛光压力为53.5 N时,能使晶片同时得到较好的平面度和表面粗糙度,此时平面度为2.03μm,表面粗糙度为0.68 nm。 | 贾玙璠 朱祥龙 董志刚 康仁科 杨垒 高尚 | 2023 | 微纳电子技术2023，60，1： | 0 |
| 8 | 等离子抛光石英玻璃特性研究显示文摘离子束具有加工精度高、可控性好、加工面洁净无污染等优点,利用其加工超光滑光学元件可避免传统机械加工方法所带来的亚表面损伤。本文将射频等离子体应用于石英玻璃的加工,对射频等离子体抛光效应进行了研究。分析通过改变离子束的能量、束流和入射角等工艺参数,对抛光效果的影响。试验结果表明,表面粗糙度RMS随着离子束能量的增大先降低后升高,离子束抛光能量为600eV时,粗糙度到达最小,为1.73RMS/nm,离子束束流为200mA时,粗糙度到达最小为1.26RMS/nm。表面粗糙度随抛光时间增加先降低后升高。 | 郑才国 陈庆川 聂军伟 李民久 陈美艳 | 2020 | 真空2020，57，4： | 0 |
| 9 | 石英玻璃管内表面的复合光整试验研究显示文摘目的探究超声磁粒复合研磨与超声振动复合抛光两个试验阶段对石英玻璃管内表面加工的可能性,寻求最优的工艺参数组合。方法在石英玻璃管内添加柱形径向充磁辅助磁极,并添加超声振动,组成复合光整装置。在辅助磁极表面包裹一层研磨粒子,构成超声磁粒研磨装置,在辅助磁极外表面包裹一层聚氨酯,构成超声振动抛光装置。结果对上述的超声磁粒复合研磨阶段进行响应面优化,在主轴转速、振动频率、粒径三个变量中,保持其中一个变量不变,另外两个变量组合,使表面粗糙度值达到最低。选用最优的工艺参数组合作为第一阶段主要参数,经40 min研磨,表面粗糙度值从原始的4.40μm下降到0.19μm。在第一阶段基础上进行第二阶段抛光,经5 min抛光,表面粗糙度值从0.19μm进一步下降到0.07μm。结论通过响应面优化得到最优超声磁粒复合研磨组合为:主轴转速1000 r/min、粒径250μm、振动频率20 k Hz。经超声磁粒复合研磨与超声振动复合抛光两个阶段加工后,玻璃管内表面存在的凹坑、突起及划痕均得到有效去除,表面更加均匀、平整。 | 刘顺 韩冰 马学冬 陈永君 解志文 许召宽 陈燕 | 2018 | 表面技术2018，47，11： | 0 |
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