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| 1 | 半导体材料AAl^2C4(A=Zn,Cd,Hg;C=S,Se)的电子结构和光学性质显示文摘采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对具有缺陷型黄铜矿结构的半导体材料A^ⅡA12C^Ⅵ(A=Zn,Cd,Hg;C=S,Se)的构型和电子结构进行研究,并系统考察了各晶体的光学性质.对于线性光学性质,五种晶体在红外区和部分可见光区具有良好的透光性能,其中HgAl2S4和HgAl2Se4晶体具有适中的双折射率.在非线性光学性质方面,该类晶体倍频效应较强,理论预测得到的二阶静态倍频系数均较大(〉20pm/V).体系的倍频效应主要来源于价带顶附近以S/Se价P轨道为主要成分的能带向含有较多A1/Hg价P成分的空带之间的跃迁.通过与已商业化的AgGaCz晶体光学性质的对比,结果表明HgAl2S4和HgAl2Se4是一类性能优良的红外非线性光学晶体材料. | 陈懂 肖河阳 加伟 陈虹 周和根 李奕 丁开宁 章永凡 | 2012 | 物理学报2012，61，12： | 2 |
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