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| 1 | 二维缺陷GaAs电子结构和光学性质第一性原理研究显示文摘采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了存在Ga空位缺陷和掺杂B原子的二维GaAs的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明空位缺陷二维GaAs显示出金属特性,B原子的引入使体系变为间接带隙半导体,禁带宽度为0.35 eV.态密度计算发现体系低能带主要由Ga的s态、p态、d态和As的s态、p态构成;高能带主要由Ga和As的s态、p态构成.掺杂B原子与存在空位缺陷的二维GaAs相比,静态介电常数相对较低,变为8.42,且易于吸收紫外光,在3.90~8.63 eV能量范围具有金属反射特性,反射率达到52%. | 褚玉金 张晋敏 陈瑞 田泽安 谢泉 | 2018 | 原子与分子物理学报2018，35，6： | 2 |
| 2 | 二维GaAs电子结构和光学性质的理论计算显示文摘采用基于密度泛函理论的第一性原理和分子动力学理论,验证了二维GaAs类石墨烯结构的稳定性,计算了二维GaAs的基态电子结构、态密度和光学性质参数。结果表明,不同于三维GaAs,二维GaAs最高的两个能带相互交叠,显示出金属性;维度的降低使得As的s态和p态电子相互作用增强,产生较多的态密度峰,且峰位向低能方向移动;低能带主要由Ga-d态、As-s态和As-p态构成;高能带主要由As-s态和As-p态构成;二维GaAs静态介电常数为3.67,对紫外光具有较强的吸收作用,在光子能量3.90~4.71eV和5.69~6.90eV范围表现出金属反射特性。 | 褚玉金 张晋敏 高廷红 田泽安 梁永超 陈茜 黄忠念 谢泉 | 2018 | 激光与光电子学进展2018，55，4： | 2 |
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