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| 1 | 二次电子发射特性与固体材料摩擦起电的关系显示文摘为了探索二次电子发射特性与固体材料摩擦起电的关系,参考了国内外有关标准和资料公布的静电序列,重点考虑固体材料的二次电子发射特性,选取位于静电序列靠后位置的聚四氟乙烯、高密度聚乙烯(HDPE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)和A3碳钢等固体材料,进行了摩擦起电实验,从摩擦速度、摩擦力与静电起电过程中原入射粒子能量的关联方面,分析了固体材料在与A3碳钢摩擦后,其表面静电电位有时为正值的现象.实验结果表明,该现象正是由于固体材料本身的二次电子发射特性所造成的,说明了二次电子发射特性与固体材料静电起电过程之间较强的关联效应. | 常天海 马威 常建 | 2011 | 华南理工大学学报(自然科学版)2011，39，12： | 3 |
| 2 | 静电放电人体模型测试标准EIA/JEDEC中的问题研究显示文摘通过具体的实例说明目前的静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)人体模型测试标准EIA/JEDEC尚存在一些需要完善的问题。目前的标准EIA/JEDEC中缺少对起始测试电压的规定,导致有些测试直接从千伏(kV)量级的高压开始进行,造成一些设计不良的ESD防护器件在低压发生失效的状况可能被漏检的后果。本文研究对象为一个漏端带N阱镇流电阻(Nwell-ballast)的GGNMOS(Gate-Grounded NMOS)型ESD防护结构。用Zapmaster对它做人体模型(Human Body Model,HBM)测试,发现从1Kv起测时,能够通过8Kv的高压测试;而从50V起测时,却无法通过350V。TLP测试分析的结果显示此现象确实存在。本文详细剖析了该现象产生的机理,并采用OBIRCH失效分析技术对其进行了佐证。因该问题具有潜在的普遍性,因此提出了对目前业界广泛采用的EIA/JEDEC测试标准进行补充完善的建议。 | 韩雁 霍明旭 宋波 | 2009 | 中国集成电路2009，18，6： | 2 |
| 3 | 基于0.5μm BCD工艺的双向SCR结构的ESD保护设计显示文摘针对双向可控硅(DDSCR)在特征尺寸不断缩小的集成电路中,难以达到窄小静电放电(ESD)设计窗口的ESD防护需求,设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR(GFDDSCR)ESD保护器件,并基于0.5μm Bipolar-CMOSDMOS工艺进行制备.利用传输线脉冲测试研究不同关键尺寸的GFDDSCR的ESD特性及单位面积ESD防护能力,分析器件ESD特性随关键尺寸变化的规律,得到优化的GFDDSCR的结构参数.结果表明,与DDSCR的改进型结构(IBDSCR)相比,优化的GFDDSCR触发电压下降了27%,电压回滞幅度减小了53%,维持电压和失效电流基本不变,能够满足微纳米级集成电路窄小ESD设计窗口的需求. | 梁海莲 董树荣 顾晓峰 李明亮 韩雁 | 2013 | 浙江大学学报(工学版)2013，47，11： | 2 |
| 4 | 应用于5 V电压电路的新型闩锁免疫LVTSCR显示文摘传统低压触发可控硅(LVTSCR)维持电压过低,应用于片上ESD防护时存在闩锁风险。文章提出了一种嵌入分流路径的LVTSCR。基于0.18μm CMOS工艺,使用Sentaurus-TCAD软件模拟人体模型,对器件准静态特性进行了分析。结果表明,新型器件在保持触发电压、ESD防护性良好的情况下,有效提高了维持电压。对关键尺寸D6进行优化,该器件的维持电压提高到5.5 V以上,器件可安全应用于5 V电压电路,避免了闩锁效应。 | 王松岩 范晓梅 朱治华 张英韬 王耀 刘俊杰 陈睿科 | 2022 | 微电子学2022，52，1： | 0 |
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