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| 1 | 微孔阵列铜表面二次电子发射系数抑制研究显示文摘针对微孔阵列对铜表面二次电子发射系数(SEY)的抑制效应进行实验研究以提高电真空器件性能。首先利用Casino软件模拟了入射能量分别为0.5keV和3keV的电子束垂直入射到方形微孔阵列表面的SEY,分析了方孔阵列的深宽比和孔隙率对本征二次电子发射系数(ISEY)、背散射二次电子发射系数(BSEY)及总二次电子发射系数(TSEY)的影响。然后采用半导体光刻工艺在铜箔表面制备具有不同形貌参数的圆孔阵列,采用激光扫描显微镜进行形貌分析和几何结构参数提取,采用二次电子测试平台进行TSEY测试。仿真结果表明:微孔阵列的深宽比、孔隙率越大,其SEY抑制特性越明显;随着微孔阵列深宽比逐渐增大,SEY逐渐趋于饱和;入射电子束能量较低时,微孔阵列对SEY抑制效应比入射能量较高时更为明显。实验结果表明:微孔阵列能有效抑制铜表面SEY,实测结果与仿真结果规律一致,为微孔阵列结构用于铜表面SEY抑制提供了依据。 | 王泽卫 叶鸣 陈亮 贺永宁 崔万照 张忠兵 | 2016 | 强激光与粒子束2016，28，12： | 3 |
| 2 | The New Model Based on Secondary Electron Emission of Solid Materials on Its Electrostatic Electrification显示文摘As the study to innovate and develop a new research direction of electrostatic theory, it is known that secondary electron emission coefficient of solid material can't be ignored as an important and incentive parameter of static electricity. In this paper, we combined the experiment with theoretical way to discuss and analyze the association mechanism between the magnitude and polarity of surface electrostatic potential with the secondary electron emission characteristic, as well as tried to explore and establish the new model based on secondary electron emission characteristics with solid surface electrostatic charging. | CHANG Tianhai WU Shuling | 2015 | Chinese Journal of Electronics2015，24，3： | 0 |
| 3 | 核电厂主控制室金属门静电放电现象的探讨显示文摘介绍国内在建某核电厂主控制室金属门静电放电ESD的现象,分析金属门静电成因及核电厂实际环境下对静电产生的影响,对主控制室金属门的防静电措施提出了建议。 | 陈益峰 | 2015 | 电气工程学报2015，10，10： | 0 |
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