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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	溅射Cu/In叠层预置膜再硒化法制备CuInSe_2薄膜显示文摘采用Cu、In双靶,低功率直流磁控溅射的方法沉积Cu-In双层预置膜,然后采用固态源硒化法生成CuInSe_2 (CIS)薄膜。采用SEM和EDX观察和分析薄膜的表面形貌与成分,用XRD表征薄膜的组织结构。重点分析了不同衬底,不同铜、铟溅射顺序对Cu-In双层预置膜与CuInSe_2半导体薄膜成分、形貌和相结构的影响,分析了不同溅射顺序下薄膜的生长机制。以镀Mo玻璃为衬底生长的薄膜具有更理想的形貌;在Cu-In膜制备过程中采用先溅射Cu后溅射In的沉积顺序,能有效地利用元素In润湿能力强的特点,使Cu、In充分结合形成均匀致密的Cu-In预置膜,经硒化处理得到了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2半导体薄膜。	李健朱洁	2008	太阳能学报2008，29，3：	4

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