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| 1 | 以PI为基底的金薄膜导热导电性能研究显示文摘实验利用瞬态电热技术测量出镀在聚酰亚胺(PI)基底表面的6. 4 nm金薄膜面内方向的导热系数、导电系数和洛伦兹数,并研究了PI薄膜基底的热处理温度与时间对金薄膜导热、导电性能的影响。研究结果表明,PI基底可以促进金薄膜面内方向的热传导与电传导。PI薄膜基底表面金薄膜导热、导电性能最强,适合应用在柔性电子领域中。当对PI薄膜基底的热处理时间为1 h时,随着热处理温度从50℃升到200℃,金薄膜的导热、导电系数呈下降趋势。当热处理温度为200℃时,随着热处理时间从0 h升到6 h,金薄膜的导热、导电性能先下降后上升,并在6 h后趋于稳定。 | 程健 董华 张建伦 林欢 张敬奎 | 2019 | 电子元件与材料2019，38，1： | 2 |
| 2 | 硫化温度对CuInS_2薄膜微结构和光学性能的影响显示文摘采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜,采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜。研究了硫化温度对CuInS2薄膜的晶相结构、表面形貌和光学带隙等性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见光谱(UV-Vis)等测试手段对薄膜的晶相结构、表面形貌、光学性能进行了表征。结果表明,Cu-In合金预置膜经550℃硫化热处理20min可制备出黄铜矿结构的CuInS2薄膜,并具有(112)面的择优取向,所制备的CuInS2薄膜晶粒粒径约为1μm,光学带隙为1.51eV。 | 夏冬林 刘俊 张兴良 赵修建 | 2011 | 材料导报2011，25，2： | 1 |
| 3 | 溶剂热法制备CuIn(S_xSe_(1-x))_2纳米粉体的微观结构与光学特性显示文摘以乙醇胺为溶剂,以氯化铟、氯化铜、硫化钠、硒粉为原料,采用溶剂热法制备CuIn(SxSe1-x)2(x=0-1)纳米粉末,采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、紫外–可见分光光度计等对该粉末的物相结构、形貌及光吸收性能进行分析与表征。结果表明:CuIn(SxSe1-x)2粉末主要为黄铜矿相结构,当S元素掺杂量x〉0.5时,粉末中出现纤锌矿相CuIn(SxSe1-x)2。随x从0增加到1,CuIn(SxSe1-x)2粉末的形貌从片簇状逐渐转变为颗粒状,其吸收边出现"蓝移",禁带宽度从1.16eV增大到1.48eV。 | 段文杰 段学臣 李历历 夏慧 朱奕漪 | 2015 | 粉末冶金材料科学与工程2015，20，1： | 0 |
| 4 | 叠层结构对Cu/In预制膜微观结构的影响显示文摘采用超声波-脉冲直流电沉积的方法在钼基底上制备了两种不同叠层结构的Cu/In预制膜:Cu/In多层膜和Cu/In双层膜,经过随后的热处理得到了Cu/In合金膜。通过XRD、SEM等对比研究了这两种Cu/In预制膜热处理前后的表面形貌、成分和相结构特征。结果表明:采用Cu/In多层膜制备的Cu/In合金膜表面更致密、平滑,成分分布更均匀,所用的热处理时间短且显著减少了In元素的挥发损失,更利于薄膜原子比的精确控制。 | 陈浩 潘勇 周兆锋 田槟铖 李旭军 李凯 | 2013 | 材料导报2013，27，16： | 0 |
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