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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	新鲜多孔硅(001)表面结构与电子特性理论研究显示文摘在周期边界条件下的k空间中,采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势法,建立H12S i31几何模型来对表面主要被H覆盖的新鲜多孔硅(Porous S ilicon,PS)(001)表面最外层的S i—H键的几何结构和电子特性进行初步的理论研究.计算得到氢化PS(001)表面几何结构S i—H键长为0.148 nm、H—S i—H键角为106°,并通过原子布居数、电子密度图分析得到氢化PS表面原子的电子特性.	邓小燕杨春郁卫飞李金山	2006	四川师范大学学报(自然科学版)2006，29，3：	2

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