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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	压力对β-Si_3N_4的电子结构和光学性质的影响显示文摘采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对不同压强下β-Si3N4的电子结构和光学性质进行了计算,较好地解释了已经报道的实验结果,进一步研究了β-Si3N4其它物理参数随外压力的变化规律.	潘洪哲徐明丁迎春沈益斌	2007	四川师范大学学报(自然科学版)2007，30，3：	1
	2	Si(001)-(2×2×1):H表面弛豫研究显示文摘目的研究Si(001)-(2×2×1):H表面的几何结构和电子特性.方法在周期边界条件下,采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波超软赝势法,对Si(001)-(2×2×1):H表面结构进行了弛豫计算并对该表面进行电子结构分析.结果结果表明弛豫作用使得部分电子从第一层硅原子转移到了第二层硅原子上,从而导致表层硅呈现正电性.结论这样的电子结构特性将有助于负电性强的氧气分子在硅氢表面的吸附.弛豫后的Si(001)-(2×2×1):H表面的能带结构具有半导体材料的特征.	邓小燕王秀清	2008	河北北方学院学报(自然科学版)2008，24，5：	0

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