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| 1 | TVS瞬态电压抑制二极管及其应用显示文摘就雷电瞬时过电压对于精密电子装置的功能影响所造成的干扰与损坏等情况,借助对于瞬态抑制二极管的理念展开研究,并针对10种不同的启动电压的瞬态抑制二极管展开对应的雷电模拟冲击检测,借助示波器搜集残压以及其通流的信息,运算得到瞬态抑制二极管的残压比例。 | 吴沛冬 | 2018 | 电子世界2018，0，15： | 5 |
| 2 | 一种高功率密度低钳位电压TVS结构显示文摘手机等电子设备的电池模块VBAT&VBUS端由于工作电压多样和应用环境的电应力强,需要其保护器件TVS提供适应4.5/7/12/15/18/24/26 V电源电压。并且在配合OVP的保护方案时,不仅要求TVS击穿方向具有高功率密度低钳位电压的特点,对正向导通方向也提出了耐大电流冲击和低钳位电压的要求。分析PN结单向二极管和NPN结双向二极管的静态I-V特性和动态浪涌残压特性,开发了结合两种结构优点的TVS器件,该器件在提供低漏电流的同时可降低击穿电压,其峰值电流IPP大幅度提升,钳位电压VC也下降到被保护器件的安全区内。 | 苏海伟 赵德益 吕海凤 王允 赵志方 | 2019 | 集成电路应用2019，36，2： | 4 |
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