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| 1 | 一种嵌入式计算机三级防过电压设计显示文摘针对嵌入式计算机在使用过程中易受雷电、静电等过电压影响而使设备通讯接口等功能造成损坏问题,提出了一种嵌入式计算机三级防过电压设计方法,包括嵌入式计算机壳体屏蔽设计、高压去能电路设计和低压箝位电路设计,重点讨论了壳体屏蔽中导电密封条导电、屏蔽效果和安装要求,分析了高压去能电路和低压箝位电路中器件的选取和设计方法,并对三级防过电压设计中每一级的防护效果进行了分析。经实际应用证明,方法满足某系统防护要求、效果良好,具备工程上的可行性。 | 景德胜 梁争争 缑丽敏 | 2022 | 航空计算技术2022，52，1： | 1 |
| 2 | 基于自谐振恒压钳位的线性快速关断技术显示文摘瞬变电磁法(Transiant electromagnetic method,TEM)以其探测效率高、探测深度大等优点,在中浅层地下探测领域得到了广泛的应用。但由于发射线圈本身的电感特性,导致发射电流的关断时间较长,且发射电流激发的一次场将会淹没含有浅层地质信号的早期信号。针对现有的瞬变电磁发射机存在的关断时间长,大功率发射缺少可靠有效的钳位手段的现状,设计了一种新的瞬变电磁发射机快速关断电路。使用自谐振零电压开关技术向钳位电容充能,同时设置相应的时序控制电路,最终研制完成了基于自谐振恒压钳位技术的瞬变电磁发射机一台。发射机额定发射电流20 A,关断时间从550-50μs连续可调,电流下降过程近似线性,不再按照一阶电路的指数规律下降。与现有的钳位方式相比,这种钳位方式解决了传统瞬态二极管(Transient voltage suppressor,TVS)钳位不能用于大功率场合、故障率高、小尺寸发射线圈电感量不足造成使用储能电容钳位时预充电时间过长的问题。该技术为大电流快速关断提供了一种有效的方法。 | 孙德立 宋爽 滕飞 | 2020 | Journal of Measurement Science and Instrumentation2020，11，3： | 1 |
| 3 | 5V双向TVS器件表面缺陷改善显示文摘通过对5V双向TVS产品结构和工艺的研究,分析了高温退火工艺条件下衬底外延离子扩散对晶圆边缘处器件漏电和良率的影响。通过优化退火工艺,改善了器件表面缺陷,解决了晶圆边缘处器件漏电过高的问题,将片内良率从93%提升至99%以上。 | 陈正才 | 2021 | 电子与封装2021，21，9： | 1 |
| 4 | 5 V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计显示文摘通过设计5 V双向TVS产品,分析了N+注入及退火工艺对器件正、反向击穿电压的影响。通过优化材料电阻率,正、反向击穿电压的差值从1.3 V优化至0.1 V,各项动态参数均满足产品要求。完成了5 V双向TVS器件击穿电压对称性的优化,各项参数均满足产品要求。 | 陈正才 黄龙 彭时秋 | 2020 | 电子与封装2020，20，10： | 0 |
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