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1Li、Sb、Ta共掺杂对铌酸钾钠基无铅压电陶瓷相结构和压电性能的影响显示文摘采用固相法及常压普通烧结方法,制备了Li、Sb、Ta共掺杂的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷(Na0.52K0.44Li0.04)(Nb1-x-ySbxTay)O3,通过调节x、y在0至0.10之间的取值,研究Sb、Ta两种元素共掺杂对铌酸钾钠基陶瓷相结构、压电和介电性能的影响,获得优化的掺杂比例。在研究的组成范围内,随着Sb含量的增加,所得样品均存在一个由正交相向四方相的O-T相变,而随Ta含量的增加,相组成没有变化,且存在一个成分窗口,对应一系列具有较优压电性能的组分。在x=0.05,y=0.06的组分附近时,性能达到最优,d33~334pC/N,Kp~0.35,介电常数约为1900,介电损耗约为2.7%,Pr~16.4μC/cm2,Ec~8.4kV/cm。褚祥诚 高仁龙 郇宇 王晓慧 李龙土 2013稀有金属材料与工程2013,42,S1:5
2KNN-BT-BZ系无铅压电陶瓷的研究显示文摘采用传统电子陶瓷方法制备了(0.94-x)K0.49Na0.51NbO3-xBaTiO3-0.06BaZrO3(x=0~0.04mol,简称KNN-BT-BZ)体系无铅压电陶瓷,研究BaTiO3含量对该体系陶瓷的晶体结构与压电、介电性能的影响。结果表明:所研究组成范围内所有陶瓷样品均具有单一钙钛矿结构,随着BaTiO3含量x的增加,陶瓷的压电常数d33、平面机电耦合系数kp先增加后降低,机械品质因数Qm和介电常数εT33/ε0均增大,同时介电损耗tanδ减小。当x=0.03时,该组成陶瓷具有较好的压电性能:d33达322pC/N,kp为42%,Qm=193,εT33/ε0=423和tanδ=0.045。汪靓 李月明 沈宗洋 王竹梅 洪燕 2013稀有金属材料与工程2013,42,S1:3
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