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| 1 | KNN基无铅压电陶瓷材料的研究进展显示文摘(K,Na)NbO3基无铅压电陶瓷材料具有较高的居里温度,优良的铁电性和压电性,且污染小,被认为是替代(Pb,Zr)TiO3的理想材料。综述了国内外近期KNN基无铅压电陶瓷研究进展,并展望了其研究和发展。 | 金丽 李学鹏 杜潇 | 2020 | 山东化工2020，49，21： | 3 |
| 2 | ABO_3型化合物掺杂KNN基无铅压电陶瓷的研究进展显示文摘KNN基无铅压电陶瓷以其较高的居里温度、低的介电常数和高的机电耦合系数等特点,近年来备受研究人员的关注。本文结合近几年来相关文献的报道,综合分析了在KNN基无铅压电陶瓷中添加ABO_3型合物对其电学性能的影响,展望了KNN基无铅压电陶瓷将来的发展趋势。 | 任豆豆 赵林 马健 刘美林 陈波 | 2015 | 现代技术陶瓷2015，36，6： | 2 |
| 3 | Y_2O_3掺杂对BCZT无铅压电陶瓷性能影响显示文摘采用传统氧化粉末固相反应法制备出了稀土氧化钇 Y2O3掺杂 (Ba0.85Ca0.15) (Ti0.9Zr0.1)O3[简称 BCZT-xY]无铅压电陶瓷.通过X射线衍射仪(XRD)及扫描电镜(SEM)研究了不同Y2O3掺杂量(x=0.2%~0.8%,质量分数)对BCZT的相结构、显微组织的影响.结果表明,适量掺杂BCZT陶瓷均可获得单-的钙钛矿结构陶瓷,当x为0.6%时获得样品的衍射强度较大;所制陶瓷的电学性能随着 Y2O3掺杂量的变化显著变化,在烧结温度为 1 480 ℃时,当Y2O3掺杂量x为0.2%时,陶瓷电学性能最优,在1 kHz频率下室温测得各项参数为:压电常数d33 =208 pC/N,介电损耗tanδ=0.018 2,相对介电常数εr=5 172.97.适量Y2O3掺杂能够改善BCZT压电陶瓷的电学性能. | 张静 郑德一 程程 张浩 | 2016 | 电子元件与材料2016，35，8： | 1 |
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