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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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11篇 您的检索式：作者名="Zschech E"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1Effects of Laser-induced Heating on Raman Stress Measurements of Silicon and Silicon-germanium Structures 显示文摘Georgi C Hecker M Zschech E 2007Journal of Applied Physics2007，101，12：1
2Characterization of barrier/seed layer stacks of Cu interconnects by electron tomographic three-dimensional object reconstruction显示文摘 Engelmann H Zschech E 2003Microelectronic Engineering2003，65，：1
3Study of artificial aging in AlMgSi(6061)and AlMgSiCu(6013)alloys by positron annihilation显示文摘STAAB T E M KRAUSE-REHBERG R HORNAUER U ZSCHECH E 2006Journal of Materials Science2006，41，4：1
4Structure model of Aurivillius compounds: An EXAFS study 显示文摘WACHSMUTH B ZSCHECH E THOMAS N W BRODIE S G GURMAN S J BAKER S BAYLISS S C 1993Physical State Solid A1993，135，：1
5Trends in TEM sample preparation 显示文摘ZSCHECH E 2004Prakt Metallogr-Pr M2004，42，4：1
6Challenges to TEM sample preparation显示文摘ZSCHECH E 2005Prakt Metallogr-Pr M2005，42，4：1
7Phase analysis of TaN/Ta barrier layers in sub-micrometer trench structures for Cu inter connects 显示文摘Traving M Zienert 1 Zschech E 2005Applied Surface and Science2005，104，01：1
8Phase analysis of TaN/Ta barrier layers in sub-micrometer trench structures for Cu inter connects 显示文摘Traving M Zienert I Zschech E 2005Applied Surface Science2005，252，：1
9Geometry and microstru- cture effect on EM-induced copper interconnect degradation显示文摘Zschech E Ho P S Schmeisser D et at 2009Device and Materials Reliability IEEE Transactions on2009，9，1：1
10Effect of nitrogen content on the degradation mechanisms of thin Ta-Si-N diffusion barriers for Cu metallization显示文摘HUBNER R HECKER M MATTERN N HOFFMANN V WETZIG K HEUER H WENZEL C ENGELMANN H J GEHRE D ZSCHECH E 2006Thin Solid Films2006，500，12：1
11Advanced MOSFET gate dielectrics for high-performance microprocessors: materials selection and analytical challenges显示文摘Zschech E Engelmann H J Ohsiek S 2005Adv in Solid State Phys2005，45，：1
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