| 2 | In_xGa_(1-x)As/GaAs应变单量子阱结构的静压光致发光研究显示文摘在室温和液氮温度下,0-60kbar范围内对In_xGa(1-x)As/GaAs应变单量子阱结构进行了静压光致发光研究.在室温下,量子阱中发光峰随压力的变化是亚线性的,而在液氮温度下是线性的.阱中发光峰的压力系数比GaAs势垒的小约10%左右.发现对应于导带第二子带的发光峰的压力系数略大于第一子带的.此结果与GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱的情况正好相反. | 李国华 郑宝真 韩和相 汪兆平 T G.Andersson Z.G.Chen | 1989 | Journal of Semiconductors1989，10，4： | 0 |
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